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文檔簡(jiǎn)介
1、透明導(dǎo)電材料一直被ITO所主導(dǎo),但是隨著銦資源短缺、柔性觸控的快速發(fā)展以及更加廉價(jià)工藝的需求,許多替代型材料被人們研究出來(lái)。銀納米線材料是最近幾年熱門的研究方向,但多數(shù)限于實(shí)驗(yàn)室的應(yīng)用研究,對(duì)于大量工業(yè)生產(chǎn)的應(yīng)用條件還存在較大的空白,本文以量產(chǎn)工藝為條件對(duì)銀納米線觸控電極的制備展開研究,其中透明導(dǎo)電電極作為ITO替代電極,非透明低電阻電極作為新一代嵌入式觸控電極。
首先,以銀納米線分散液為材料制備了方塊電阻為15Ω/□,透過(guò)率
2、為93%的透明導(dǎo)電薄膜,優(yōu)化溶膠-凝膠制備條件可得到透過(guò)率為95%的透明導(dǎo)電薄膜。對(duì)制備的薄膜進(jìn)行了圖形化刻蝕研究,通過(guò)優(yōu)化曝光能量、顯影時(shí)間、刻蝕液和刻蝕條件刻蝕出形貌良好單邊偏差為0.95um的觸控電極。為了改善觸控電極的硬度、粘附性和抗氧化能力,對(duì)電極旋涂OC保護(hù)層,對(duì)比其性能,OC保護(hù)層可以提高以上各項(xiàng)性能。
其次,使用銀納米線材料制各了方塊電阻為0.65Ω/□的低方塊電阻薄膜,對(duì)比只用溶膠-凝膠方法和溶膠-凝膠與刮涂
3、方式相結(jié)合的工藝,證明了通過(guò)溶膠-凝膠與刮涂方式相結(jié)合的工藝可以得到更加均勻的薄膜,并對(duì)其做了SEM與FIB表征。參考透明導(dǎo)電電極的曝光條件,優(yōu)化了制備低電阻電極時(shí)的刻蝕條件,單邊偏差接近0。其粘附性良好,對(duì)其高溫穩(wěn)定性能進(jìn)行研究,發(fā)現(xiàn)在空氣中溫度超過(guò)250攝氏度氧化迅速,隔絕空氣時(shí)溫度達(dá)到300攝氏度銀納米線發(fā)生熔化斷裂。
最后,為了解決工藝中觸控電極斷線的問題,通過(guò)控制銀納米線分散液拉膜方式,制備了陣列取向的銀納米線薄膜,
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