聚合物電致發(fā)光二極管(PLED)的電極調(diào)控及修飾.pdf_第1頁(yè)
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1、近年來(lái),聚合物電致發(fā)光二極管(PLED)由于其卓越的性能,以及在平板顯示和固態(tài)照明領(lǐng)域潛在的應(yīng)用前景,受到廣泛關(guān)注。他們具有價(jià)格低廉、輕便、制作工藝簡(jiǎn)單、柔性等優(yōu)點(diǎn),然而,PLED器件的研發(fā)和生產(chǎn)還有很大的拓展空間,一些制約其應(yīng)用發(fā)展的問(wèn)題亟待解決,例如:如何解決載流子的平衡注入、如何提高PLED器件的發(fā)光效率以及延長(zhǎng)PLED的使用壽命等問(wèn)題。
  本文主要圍繞電致發(fā)光器件的電極調(diào)控及修飾開(kāi)展了研究工作,利用旋轉(zhuǎn)涂布技術(shù)和高真空蒸

2、鍍技術(shù)制備 PLED器件,通過(guò)設(shè)計(jì)方案修飾電極,并進(jìn)一步研究了不同的電極修飾對(duì)于器件性能的影響,最終有效的提升了器件的發(fā)光效率。具體研究?jī)?nèi)容和主要成果如下:⑴將化學(xué)法合成的氧化石墨烯(GO),作為空穴傳輸層(HTL)應(yīng)用到PLED。制備了結(jié)構(gòu)為ITO/GO/MEH-PPV/LiF/Al的PLED器件,其中ITO玻璃作為陽(yáng)極,聚合物MEH-PPV作為發(fā)光層,LiF/Al作為陰極。我們采用紫外臭氧(UVO)處理改善GO/MEH-PPV界面,

3、通過(guò)優(yōu)化 UVO處理時(shí)間,提升陽(yáng)極的功函數(shù),減小界面電阻,最終實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)電壓較低、發(fā)光效率較高的PLED器件。⑵利用金(Au)納米顆粒的表面等離子增強(qiáng)效應(yīng),提升PLED器件的性能。在器件 ITO/GO/MEH-PPV/LiF/Al中,利用 Au納米顆粒修飾 GO,試圖改善GO/MEH-PPV界面的空穴注入,以及實(shí)現(xiàn)表面等離子體效應(yīng)在PLED器件中的應(yīng)用。通過(guò)系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn),未實(shí)現(xiàn) Au納米顆粒在紅光 PLED器件中的等離子增強(qiáng)效應(yīng),并分析其

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