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文檔簡介
1、本論文是通過利用化學合成法制備氧化石墨烯,以及光輔助-費頓法來制備的石墨烯量子點,并將它們與吡咯單體在低溫下進行原位聚合,獲得聚吡咯/氧化石墨烯、聚吡咯/石墨烯量子點復合材料。隨著氧化石墨烯、石墨烯量子點的加入,吡咯單體以氧化石墨烯、石墨烯量子點為軟模板,聚合生長成不同于純聚吡咯形貌的聚合物。同時,還嘗試了當表面活性劑(CTAB)加入后,聚吡咯/氧化石墨烯的形貌、電化學性質(zhì)變化趨勢。實驗中采用了場發(fā)射電子顯微鏡(FESEM)、紅外(FT
2、-IR)、X射線衍射分析(XRD)和熱重(TGA)對復合物的表面形貌、結(jié)構(gòu)進行表征。證明復合材料是通過化學鍵合方式結(jié)合,材料制備成功。最后通過機械冷壓法將制備的復合物壓成圓片電極,測定并分析材料的電容性能及循環(huán)穩(wěn)定性。
結(jié)果表明,表面活性劑CTAB的加入并沒有明顯提高材料的電容性能。但是,GQD的加入顯著提高了材料的比電容和循環(huán)穩(wěn)定性,當PPY和GQD質(zhì)量比為50:1所制得的復合物的比電容量為485F/g,同時在兩千次循環(huán)之后
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