UHF RFID芯片射頻前端的設計.pdf

1、超高頻(Ultra High Frequency,UHF)射頻識別(Radio Frequency Identification,RFID)技術,由于較遠的傳輸距離和較快的數(shù)據(jù)傳輸速率,得到了人們廣泛的關注。特別是無源RFID標簽,被廣泛的應用于零售、食品安全、醫(yī)療保健、物流、圖書館、公路收費、智能交通、制造業(yè)以及國防航空等領域,在物聯(lián)網(wǎng)領域,RFID也是其重要組成部分。然而,無源RFID標簽對信號的收發(fā)都依靠讀寫器,因此,系統(tǒng)對RFI

2、D讀寫器的性能要求很高,現(xiàn)在市場上大多數(shù)RFID讀寫器是采用分立元件組成的,這就增加了讀寫器的成本而且也增加讀寫器的體積。因此,芯片化的讀寫器可以減小讀寫器的體積,降低讀寫器的成本。
　　本文根據(jù)ISO-18000-6C協(xié)議,采用CMOS工藝設計了一款900MHz的RFID讀寫芯片的射頻前端電路,主要對UHFRFID系統(tǒng)的架構及其關鍵模塊的電路進行的設計和深入的研究,主要研究工作和創(chuàng)新如下:
　　1、LNA的設計采用兩級結構

3、。第一級預放大,消除由環(huán)形器泄露的發(fā)射端信號和噪聲,第二級為LNA放大器,起主放大作用。仿真結果表明,兩級結構的LNA有效的降低了系統(tǒng)噪聲,抑制了發(fā)射機信號泄露并增大了有用信號的增益。
　　2、混頻器采用單平衡無源混頻器結構。仿真結果表明,單平衡無源混頻器結構提高了電路的輸入壓縮點,很好地控制了接收機的噪聲系數(shù)。
　　3、發(fā)射機的功率放大器采用了兩級結構。第一級為預放大級,第二級為主放大器。第一級用差分的cascade結構,