銅鋅錫硫基光電陰極的制備及其光電化學性能的研究.pdf

1、光電化學催化是一種高效的、有潛力的催化技術，可以應用于水分解產(chǎn)氫、CO2還原以及太陽能發(fā)電等領域，具有綠色、環(huán)保無污染等優(yōu)點。光電極是光電化學催化的重要組成部分，因此尋找合適的電極材料以及制備高性能的光電極是實現(xiàn)光電化學催化應用的基礎。銅鋅錫硫(Cu2ZnSnS4，CZTS)是一種典型的p型半導體，帶隙為1.5eV，吸光系數(shù)為104-105cm-1，且合成CZTS所需的各種元素在地球中含量豐富、低毒無污染，因此是一種理想的光電陰極材料。

2、然而，CZTS在合成過程中自身的分解、元素揮發(fā)以及光生載流子復合率高等問題抑制了CZTS光電陰極的光電化學性能的提高。本文基于上述兩種問題，分別設計了不同的解決方案:(1)在一種半封閉的合成體系中，通過適當提高S分壓來抑制CZTS的分解和元素揮發(fā);(2)采用成分偏析原位合成法制備了p-p型CZTS-SnS異質結，通過控制光生載流子的定向移動實現(xiàn)電子-空穴對的高效分離。主要結果如下:
　　1、基于硫分壓調控的高性能CZTS光電陰極的

3、制備及其光電化學性能的研究:
　　采用簡單的電化學沉積金屬前驅體后硫化的方法成功在FTO導電玻璃上制備了CZTS光電陰極，通過調控硫化過程中反應體系窗口的大小控制反應S分壓大小，并在三種不同的S分壓條件下分別合成樣品。XRD、Raman、紫外-可見-近紅外光譜、SEM測試結果顯示，在不同窗口大小條件下合成的CZTS光電陰極沒有明顯差異;光電化學性能測試表明，樣品CZTS-WS1表現(xiàn)出最好的光電化學性能，在-0.50V vs Ag/

4、AgCl條件下，光電流密度可達1.8mA/cm2，并且具有良好的穩(wěn)定性，IPCE在可見光區(qū)可穩(wěn)定在4％-7％;通過對樣品元素含量的分析，我們將CZTS-WS1光電化學性能提升的原因歸結為:①硫分壓的增大可以抑制CZTS分解反應的發(fā)生，從而抑制Sn元素的揮發(fā)，并增加S元素的滲入，保證CZTS元素化學計量比準確;②CZTS-WS1為富鋅貧銅的狀態(tài)。
　　2、成分偏析原位合成法制備p-p型CZTS-SnS異質結及其光電化學性能的研究:<

5、br>　　采用成分偏析原位合成法在FTO導電玻璃上成功制備出CZTS-SnS，即通過電沉積稍過量的Sn元素而在硫化過程中實現(xiàn)SnS相對CZTS的偏析原位合成CZTS-SnS異質結。XRD、紫外-可見-近紅外吸收光譜測試結果顯示，樣品中確實含有少量的SnS，表明形成了CZTS-SnS異質結;SEM測試結果顯示，少量SnS的加入會使得CZTS的粒徑減小，但對薄膜厚度沒有影響;光電化學性能測試表明，樣品CZTS-SnS表現(xiàn)出良好的光電化學性能