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1、結(jié)合CdS/CdTe太陽電池背接觸低阻的制備要求考慮,利用基于密度泛函理論平面波超軟贗勢(shì)方法和廣義梯度近似,計(jì)算了ZnTe、Gd摻雜ZnTe、Y摻雜ZnTe、La摻雜ZnTe、Nd摻雜ZnTe的能帶結(jié)構(gòu)和電子態(tài)密度,并分析電子結(jié)構(gòu),結(jié)果表明,Y、La摻雜ZnTe電子有效質(zhì)量減小,Gd、Nd摻雜ZnTe電子有效質(zhì)量增大,Gd、Y、La摻雜可使載流子發(fā)生簡(jiǎn)并,且載流子濃度數(shù)量級(jí)相近。幾何優(yōu)化后得到了Gd、Y、La、Nd摻雜ZnTe的晶格常數(shù)
2、,并分別計(jì)算了Gd、Y、La、Nd摻雜ZnTe與純ZnTe的晶格失配,發(fā)現(xiàn)Gd、Y、La摻雜后晶格常數(shù)均變大,晶格失配分別為13.5%、5.944%、23.4%,Nd摻雜后晶格常數(shù)變小,并且Nd摻雜ZnTe與純ZnTe晶格失配最小僅為4.03%。計(jì)算發(fā)現(xiàn)ZnTe導(dǎo)電類型為p型,稀土Y、Gd、La摻雜ZnTe導(dǎo)電類型改變?yōu)閚型,Nd摻雜ZnTe導(dǎo)電類型為強(qiáng)p型。
采用雙源真空蒸發(fā)法制備ZnTe及Nd摻雜ZnTe薄膜,在150
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