石墨烯基無機(jī)納米復(fù)合材料的制備及其電化學(xué)發(fā)光和催化應(yīng)用研究.pdf

1、本論文以改進(jìn)的Hummers法制備的氧化石墨(GO)為前驅(qū)體，采用不同方法制備了三種石墨烯基無機(jī)納米復(fù)合材料(RGO/CdCO3，RGO/CdO和RGO/CuS)，并考察了所制備的納米復(fù)合材料在電化學(xué)發(fā)光(ECL)和催化有機(jī)污染物降解領(lǐng)域的應(yīng)用:
　　 1.以GO和Cd(Ac)2·2H2O為起始原料，N，N-二甲基甲酰胺(DMF)為溶劑，采用一步回流法制備了RGO/CdCO3納米復(fù)合材料，利用紅外(IR)、拉曼(Raman)、X

2、射線衍射(XRD)及透射電鏡(TEM)等手段表征了制備的復(fù)合材料，探討了RGO/CdCO3納米復(fù)合材料的生成機(jī)理。并進(jìn)一步考察了該復(fù)合材料在ECL領(lǐng)域的應(yīng)用，研究結(jié)果表明:RGO/CdCO3納米復(fù)合材料可在共反應(yīng)劑K2S2O8的存在下產(chǎn)生穩(wěn)定的ECL信號(hào);RGO/CdCO3不僅可以催化K2S2O8在電極表面的還原，增強(qiáng)其電化學(xué)還原電流，降低其發(fā)光起始電位，而且K2S2O8濃度在1～20 mM范圍內(nèi)與ECL強(qiáng)度呈良好的線性關(guān)系，其檢測(cè)下限

3、為0.3 mM。
　　 2.以制備的RGO/CdCO3為前驅(qū)體，在N2保護(hù)下采用高溫煅燒法制備了RGO/CdO納米復(fù)合材料，并通過IR、Raman、XRD以及TEM等手段表征了制備的復(fù)合材料，并進(jìn)一步考察了該RGO/CdO納米復(fù)合材料在ECL領(lǐng)域的應(yīng)用。研究結(jié)果表明:共反應(yīng)劑K2S2O8濃度在0.3～20 mM范圍內(nèi)與ECL強(qiáng)度呈良好的線性關(guān)系，其檢測(cè)下限為0.1 mM。
　　 3.以GO為前驅(qū)體，硫代乙酰胺和Cu(NO

4、3)2·3H2O為起始原料，采用溶劑熱法制備了RGO/CuS納米復(fù)合材料，并通過IR、Raman、XRD、TEM和熱重分析等手段對(duì)制各的復(fù)合材料進(jìn)行了表征。以RGO/CuS為非均相催化劑，以亞甲基藍(lán)(MB)為模型化合物，研究了其在催化H2O2濕式氧化降解有機(jī)污染物領(lǐng)域的應(yīng)用，并考察了各種降解條件（如H2O2濃度、體系pH、復(fù)合材料中石墨烯摻雜量等）對(duì)非均相催化H2O2濕式氧化降解MB的影響。結(jié)果表明，隨著體系中H2O2濃度增加，MB的降