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文檔簡介
1、通過pn疊層染料敏化太陽能電池(DSSC)結構設計,打破傳統(tǒng)的基于n型納米半導體DSSC(n型DSSC)的效率瓶頸、進一步提升電池性能,是推動廉價DSSC技術走向實用化的重要步驟和有益探索。發(fā)展寬帶隙、高透明、高導電的p型納米半導體電極材料,提升p型DSSC性能,是未來實現(xiàn)高效pn疊層DSSC的關鍵。本論文針對目前p型半導體電極材料匱乏的現(xiàn)狀,集中研究p型半導體CuGaO2納米材料,研究水熱合成規(guī)律控制尺寸形貌,分析材料物理化學性質,并
2、將其成功應用于p型DSSC的電極材料,取得了明顯優(yōu)于傳統(tǒng)NiO電極材料的電池性能。所研究內容如下:
?。?)系統(tǒng)研究水熱合成工藝,包括pH值、反應物濃度、有機添加劑、前驅體溫度、反應時間等,對產物形貌尺寸的調控規(guī)律,制備出尺寸較小的CuGaO2納米晶材料,比表面積達到37.9m2·g-1;
(2)針對材料的性質特點,開發(fā)機械壓制薄膜沉積工藝,優(yōu)化膜厚,得到優(yōu)化的CuGaO2基p型DSSC電池性能,開路電壓為199.3m
3、V,顯著高于NiO參比電極;短路電流達2.048mA·cm-2,略高于NiO的1.89mA·cm-2;光電轉換效率達到0.182%,相比NiO參比電極提高了2.5倍。
?。?)電池機理研究表明,相比于NiO較高的開路電壓是由于CuGaO2半導體價帶位置相對真空能級更負導致的,從NiO的-5.15eV移動到CuGaO2的-5.29eV。短路電流的提升,主要有兩個方面的原因:1)CuGaO2尺寸控制使得其染料吸附量達到接近NiO的水
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