短路微帶線法測(cè)量磁性薄膜材料的復(fù)磁導(dǎo)率.pdf

1、磁性薄膜可以廣泛應(yīng)用于高速電子工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域，比如：信息存儲(chǔ)，電磁兼容，磁場(chǎng)傳感器，微波通訊器件等。隨著磁性薄膜器件向小型化和向高頻應(yīng)用方向發(fā)展，獲得測(cè)試磁性在薄膜高頻下的電磁參數(shù)顯得尤為重要。
　　磁性材料的高頻特性，溫度特性以及其鐵磁共振線寬等指標(biāo)都是目前國(guó)內(nèi)外研究的重點(diǎn)內(nèi)容之一。而磁性材料的復(fù)磁導(dǎo)率是材料的基本參數(shù)，它的準(zhǔn)確測(cè)量是磁性器件的研究、設(shè)計(jì)和應(yīng)用的關(guān)鍵。本文即針對(duì)磁性材料的復(fù)磁導(dǎo)率的測(cè)量技術(shù)，展開了如下工作：

2、>　　論文首先依據(jù)傳輸線理論對(duì)短路微帶線法的計(jì)算公式進(jìn)行了推導(dǎo)，并通過(guò)電磁仿真軟件HFSS對(duì)測(cè)量模型進(jìn)行了仿真分析，根據(jù)仿真結(jié)果驗(yàn)證了該測(cè)試方法的可行性。然后具體的研究了測(cè)試過(guò)程中樣品的尺寸以及放置位置的影響。結(jié)果表明：測(cè)試夾具的微帶線的上導(dǎo)體的寬度為5 mm；空氣介質(zhì)層厚度為1 mm；承載樣品薄膜的基片的厚度不能太厚，本文中選擇厚度為0.5 mm，基片的寬度應(yīng)該大于微帶線的上導(dǎo)體的寬度，本文中選擇為10 mm；介質(zhì)基片緊靠著短路面放置

3、。
　　然后通過(guò)對(duì)NiFe薄膜樣品的測(cè)試，成功提取了薄膜樣品的復(fù)磁導(dǎo)率，通過(guò)對(duì)復(fù)磁導(dǎo)率的測(cè)試，發(fā)現(xiàn)經(jīng)過(guò)加熱處理的NiFe薄膜由于各向異性場(chǎng)的變小，其鐵磁共振頻率較低；且當(dāng)外加靜磁場(chǎng)時(shí)，鐵磁共振頻率點(diǎn)會(huì)隨著靜磁場(chǎng)強(qiáng)度的增大而變大；本文所設(shè)計(jì)的測(cè)量方法提取的各向異性薄膜的復(fù)磁導(dǎo)率的值與新加坡國(guó)立大學(xué)的測(cè)量結(jié)果基本吻合。
　　最后利用Matlab的Guide，制作了一個(gè)圖形化界面，并展示了該界面的操作過(guò)程，實(shí)現(xiàn)了對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的讀取、