磁集成技術(shù)中薄膜磁性元件等效電路模型的研究.pdf

1、　　論文首先簡要介紹了薄膜磁件的發(fā)展概況，陳列了現(xiàn)有的薄膜電感器的種類，給出了薄膜磁芯材料的基本特性及建模要求。同時，文中羅列出現(xiàn)有各種不同的等效模型間的類比關(guān)系及其相互間的對比，來說明 T-I 模型具有建模簡單直觀、同時反映磁心和繞組特性等優(yōu)點(diǎn)。本文面向絕大多數(shù)電力電子工程師的需要及系統(tǒng)研究的需求，基于T-I模型，針對磁件的基本磁滯特性及集成磁件建模方法進(jìn)行研究。
　　文中利用所建的集成磁件等效電路模型，結(jié)合兩相 VRM 模塊

2、，對采用 T-I 模型等效的薄膜電感進(jìn)行了參數(shù)設(shè)計(jì)和系統(tǒng)仿真分析。仿真結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有較好的一致性，說明了所建立的 T-I 模型能夠較準(zhǔn)確的模擬薄膜磁件的非線性特性、磁滯、飽和特性，也能夠有力的支持和幫助電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)及優(yōu)化。
　　本文詳細(xì)闡述了磁集成薄膜技術(shù)和 T-I 模型建立的方法，歸納總結(jié)了薄膜磁件的分類方法和特點(diǎn)，列舉了應(yīng)用實(shí)例。文章得出結(jié)論：模型的建立對準(zhǔn)確的分析整個系統(tǒng)的動靜態(tài)特性、充分了解磁件的工作狀態(tài)、優(yōu)化