2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、氧化錫銻(ATO)是近年來發(fā)展起來的一種新型透明導電氧化物材料,其資源豐富、價格便宜、無毒無污染,而且具有禁帶寬度大(>3.6eV)、導電性好、可見光透過率高、抗輻射、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)異性能,將在太陽能電池、顯示器和其它光電材料等領(lǐng)域具有應用前景。而為了實現(xiàn)其產(chǎn)業(yè)化應用,可選用工業(yè)上應用較廣的濺射鍍膜技術(shù)。而高質(zhì)量的濺射靶材是濺射鍍膜中最主要的原材料,因此必須制備出高品質(zhì)的ATO陶瓷靶材,要求其致密度高、導電性好且雜質(zhì)含量低。但由于SnO

2、2在高溫下(>1100℃)易揮發(fā)和產(chǎn)生氣孔缺陷,導致ATO陶瓷靶材難以致密化。添加燒結(jié)助劑雖能改善其致密度,但會惡化導電性能。此外,Sb存在變價(Sb5+和Sb3+)導致電性能不穩(wěn)定,難以控制。因此,本文提出了制備物相單一、致密度高、導電性優(yōu)良的ATO陶瓷靶材的研究目標。
   首先,針對ATO陶瓷靶材難燒結(jié)、致密度低的技術(shù)難點,本論文采用了以純SnO2納米粉體和Sb摻雜含量為20at.%的ATO(ATO-20)納米粉體為原料,

3、并與放電等離子燒結(jié)技術(shù)(SPS)相結(jié)合的方法,提高原料燒結(jié)活性,降低燒結(jié)溫度,抑制SnO2揮發(fā),從而促進燒結(jié)致密化。研究了SPS工藝參數(shù)(如燒結(jié)溫度、升溫速率、燒結(jié)壓力和保溫時間)和Sb摻雜含量對ATO陶瓷靶材的物相組成、致密度和微觀結(jié)構(gòu)的影響。因此,確定了SPS最佳燒結(jié)工藝:燒結(jié)溫度為1000℃,升溫速率為100℃/分鐘,燒結(jié)壓力為40MPa,保溫時間為3分鐘。在此工藝條件下得到的不同Sb摻雜含量的ATO陶瓷靶材的致密度均大于94.5

4、%。其中,當Sb摻雜含量為20at.%時,ATO陶瓷靶材的致密度最高可達97.2%。
   其次,對經(jīng)過SPS燒結(jié)后的ATO陶瓷靶材進行了后期退火處理,研究了退火溫度和退火時間對ATO陶瓷靶材的物相組成、致密度和微觀結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn),退火處理對ATO陶瓷靶材的物相組成和致密度的影響較小。
   最后,通過對SPS燒結(jié)后的不同Sb摻雜含量的ATO陶瓷靶材進行電學性能測試后發(fā)現(xiàn),其電阻率均大于1×10-2Ω·cm。為了進

5、一步降低ATO陶瓷靶材的電阻率,本論文引入了在空氣中進行后期退火處理的工藝,從而彌補因SPS真空燒結(jié)時產(chǎn)生的氧空位,并促進更多的Sb3+氧化為Sb5+,最終達到組分均勻、結(jié)構(gòu)純化的目標。研究了Sb5+/Sb3+比例、致密度、Sb摻雜含量和微觀結(jié)構(gòu)對退火前后ATO陶瓷靶材的電阻率、載流子濃度和遷移率的影響,并初步探討了其導電機理。結(jié)果表明:退火處理可顯著提高ATO陶瓷靶材中的載流子遷移率,從而導致ATO陶瓷靶材的電阻率顯著降低。其中,當S

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