適于近紫外激發(fā)的銪離子激活的熒光粉的發(fā)光性能.pdf

1、本文采用高溫固相法制備了一些適合近紫外LED芯片激發(fā)的熒光粉，探索了其最佳合成條件以及雜質(zhì)的最佳摻雜濃度，分析了樣品的晶體結(jié)構(gòu)，通過樣品的光致激發(fā)與發(fā)射光譜的測試，研究了其發(fā)光性能。主要內(nèi)容如下：
　　(1)合成了Ba2-xCa(PO4)2:xEu2+藍色熒光粉，研究了激活劑Eu2+摻雜濃度，焙燒時間及合成溫度對其發(fā)光性質(zhì)的影響。XRD譜顯示，增大Eu2+摻雜量，衍射峰向大角度方向微偏移。365nm激發(fā)下樣品發(fā)射455nm寬譜帶藍

2、光。最佳合成條件為T4，最佳摻雜濃度為0.04。Eu2+自身濃度猝滅機理為電偶極-電偶極相互作用。
　　(2)合成了Sr1-xBaxAl2O4:Eu2+熒光粉。XRD顯示，當鋇摻雜量x變化時，樣品存在單斜SrAl2O4和簡單六方BaAl2O4兩種晶體結(jié)構(gòu)。在360 nm激發(fā)下，樣品發(fā)射光譜隨x的增大由綠光單一發(fā)射（λmax=516nm）逐漸向藍綠光雙發(fā)射（λmax1=441nm，λmax2=486nm）轉(zhuǎn)變。實驗知Sr0.5Ba0

3、.5Al2O4:Eu2+發(fā)光效果較好，在Eu2+濃度為0.29％時，雙發(fā)射峰強度最大，研究表明其濃度猝滅機理為電偶極-電偶極相互作用。
　　(3)合成了BaMg2(PO4)2:Eu3+橙紅色熒光粉。XRD顯示樣品為純相BaMg2(PO4)2晶體結(jié)構(gòu)。該樣品適于UV-LED管芯激發(fā)，主發(fā)射為595nm（5D0→7F1），614nm（5D0→7F2）和700nm（5D0→7F4）。增大Eu3+濃度將促使5D0→7F1躍遷而相對抑制5D

4、0→7F2躍遷。Li+、Na+、K+電荷補償均能提高發(fā)射強度；增大補償離子半徑可提高5D0→7F2電偶極躍遷幾率。
　　(4)合成了電荷補償?shù)腂aMg1.99-x(PO4)2:0.01Eu3+,xN+(N=Li,Na,K)熒光粉，簡要分析了Eu3+價態(tài)穩(wěn)定性，研究了電荷補償離子Li+、Na+、K+對晶體結(jié)構(gòu)及發(fā)光性質(zhì)的影響。XRD顯示，補償離子的引入影響了晶相。單摻Eu3+因價態(tài)不穩(wěn)定會轉(zhuǎn)化為Eu2+。研究Li+、Na+、K+對發(fā)