稀土摻雜釩酸鹽系列單晶制備與性能的研究.pdf

1、近年來(lái)，稀土摻雜材料因其優(yōu)異的熒光性能而備受關(guān)注，已廣泛應(yīng)用在等離子顯示器、通信、生物成像等領(lǐng)域。在鑭系元素中，Eu3+離子因在其基質(zhì)材料中在可見(jiàn)光區(qū)域所具有的良好的光學(xué)性質(zhì)而受到人們的青睞。本文利用光學(xué)浮區(qū)法生長(zhǎng)了摻雜Eu3+離子的系列單晶包括：YVO4:Eu3+，GdVO4:Eu3+、GdxY1-xVO4:Eu3+(x=0.2，0.4，0.6，0.8)，探究了該系列單晶的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)，以及脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)對(duì)其熒光性能的影響。具體內(nèi)容如下

2、：
　?。?）通過(guò)光學(xué)浮區(qū)法生長(zhǎng)了GdVO4:Eu3+和YVO4:Eu3+單晶，監(jiān)測(cè)了沒(méi)有外加磁場(chǎng)及在不同磁場(chǎng)下單晶的熒光光譜，包括激發(fā)光譜、發(fā)射光譜（PL）。發(fā)現(xiàn)在磁場(chǎng)作用下單晶的PL能級(jí)發(fā)生劈裂，磁場(chǎng)對(duì)YVO4:Eu3+的PL有抑制作用（其值可達(dá)10％），對(duì)GdVO4:Eu3+有提升作用。在磁場(chǎng)下對(duì)Eu3+離子對(duì)應(yīng)5D0→7F2、5D0→7F4兩能級(jí)的躍遷進(jìn)行了研究，當(dāng)磁場(chǎng)高于15T時(shí)，PL積分強(qiáng)度與磁場(chǎng)呈線(xiàn)性關(guān)系：GdVO4

3、:Eu3+的PL積分強(qiáng)度隨磁場(chǎng)的增大而增強(qiáng)，YVO4:Eu3+的PL積分強(qiáng)度隨磁場(chǎng)增大而減弱。為了探究引起這種改變的原因，通過(guò)分析單晶的吸收及指數(shù)R值隨磁場(chǎng)的變化，認(rèn)為由于磁場(chǎng)的作用改變了Eu3+離子所處環(huán)境的對(duì)稱(chēng)性，從而導(dǎo)致了這兩種基體中Eu3+發(fā)光強(qiáng)度的變化。
　?。?）為進(jìn)一步探究Gd3+、Y3+離子的相互作用對(duì)摻雜Eu3+單晶的影響，生長(zhǎng)了以Eu3+為摻雜離子、GdYVO4為基質(zhì)的系列單晶。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)對(duì)GdxY1-