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1、納米鎳基磁性金屬由于尺寸一般小于其趨膚深度,可抑制其在高頻下的渦流效應(yīng),而且納米線的尺寸具有可調(diào)性,從而使我們可以通過改變納米線的幾何尺寸來實(shí)現(xiàn)對(duì)吸波材料的課調(diào)。本文同過磁控濺射的方法在聚酯膜片上制備了一系列的金屬薄膜,對(duì)薄膜的導(dǎo)電性能和磁性能進(jìn)行研究,初步探討薄膜的微波吸收和屏蔽機(jī)理。具體如下:
1.對(duì)比在不同功率條件下制備的Ni金屬薄膜,通過測(cè)量薄膜的電阻率和磁滯回線,結(jié)果表明,電阻率隨著濺射功率的增大而減小,薄膜樣品的飽
2、和磁化強(qiáng)度隨著功率的增加而增加。
2.功率比較小的條件下制備的薄膜的磁性顆粒尺寸比較小,薄膜中的磁性顆粒都屬于單疇范圍,磁極旋轉(zhuǎn)吸收電磁波能量,隨著Ni顆粒尺寸的減小,單疇磁性顆粒數(shù)的增加,電磁波能量的吸收強(qiáng)度在增加。
3.對(duì)于多層Ni薄膜的微波吸收,隨著薄膜層數(shù)的增加,電阻率在不斷的增大。這可能是因?yàn)殄兡な抑谐淙胙鯕庑纬裳趸镏?,外?cè)電子不容易移動(dòng),將Ni薄膜的連續(xù)性給隔離,從而降低薄膜的導(dǎo)電性能。材料的單一性不
3、能使得材料在每一個(gè)頻段內(nèi)都有比較明顯的微波吸收變化,但還是能看出薄膜的層數(shù)越多對(duì)微波吸收效果更明顯。
4.對(duì)于Ni-Al合金薄膜來說,Al含量的增加,矯頑力卻從66Oe增大到87Oe,Al的加入,減小了磁滯伸縮,降低了由磁化過程的磁滯伸縮而引起的內(nèi)應(yīng)力,從而使矯頑力升高。
5.在沒有外加磁場(chǎng)的磁控濺射中,被濺射出來的粒子很快就穿過了磁場(chǎng),所受到的磁場(chǎng)作用有限;當(dāng)增加外加磁場(chǎng)以后,整個(gè)腔體的空間中都存在磁場(chǎng),增加了與工
4、作氣體的碰撞幾率,提高了工作氣體的離子濃度和薄膜的沉積速率。
6.在磁場(chǎng)條件下生長(zhǎng)使Ni膜的磁各向異性增強(qiáng),具有較高的飽和磁化強(qiáng)度,因而在GHz頻率下能夠得到更高的屏蔽性能,使Ni膜的屏蔽效果得到了一定程度的優(yōu)化。
7.Cu-Ni多層薄膜越薄,抵消的作用也就越強(qiáng)。反射衰減不但與反射面的導(dǎo)電性能,磁性能密切相關(guān),而且還和電磁波的頻率也有很大的關(guān)系。所以說,如果增加薄膜的層數(shù)不會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)的復(fù)雜變化的話,反射面的數(shù)量越多,
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