基于量子阱混雜技術的快速波長可切換V型耦合腔半導體激光器研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、電信業(yè)進入二十一世紀之后，對網(wǎng)絡帶寬的需求還在持續(xù)增加。波分復用技術(WDM)、大范圍可調(diào)諧激光器和單片集成技術的出現(xiàn)，極大地增加了每個光纖內(nèi)傳送的數(shù)據(jù)量，同時降低了光通信器件的制作成本。在過去的幾十年中，量子阱混雜技術(QWI)被證明為一種簡單有效的實現(xiàn)單片集成的方法。而其中的KrF準分子激光器量子阱混雜技術由于效果好、穩(wěn)定性好，逐漸成為了最有希望的方法之一。
　　在本文中，利用實驗室現(xiàn)有的KrF準分子激光器開發(fā)了基于紫外激光照

2、射的量子阱混雜技術。首次應用這項技術成功制作了FP激光器和無源波導。測試得到的FP激光器和無源波導的性能甚至比量子阱混雜之前的性能更好。隨后，我們將該技術應用到V型腔激光器中，首次實現(xiàn)了基于載流子注入的波長調(diào)諧功能。其中腔長差5％的器件可以實現(xiàn)1550nm波段100GHz間隔的32個通道的單電極調(diào)諧，同時邊模抑制比(SMSR)可以達到35dB，與熱調(diào)諧的V型腔激光器可以媲美。此外，調(diào)諧電流僅0～40mA，比熱調(diào)諧的電流(＞100mA)小

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