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文檔簡介
1、RF MEMS開關(guān)由于其優(yōu)異的隔離度和插入損耗,良好的線性度,在無線通訊、相控雷達方面有著廣泛的應(yīng)用。RF MEMS開關(guān)的可靠性是產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵,本文針對直接接觸式和電容式兩種開關(guān)的可靠性進行分析研究,為RF MEMS器件更進一步的發(fā)展提供技術(shù)的儲備。
在分析直接接觸式開關(guān)的電磁模型與機械模型的基礎(chǔ)上,重點研究了影響接觸式開關(guān)可靠性的接觸電阻及功率等因素,通過 Intellisuite軟件分析了結(jié)構(gòu)尺寸的變化對 MEMS開關(guān)吸合
2、電壓、開關(guān)時間、回復(fù)力和接觸力的影響。針對驅(qū)動電壓較高的問題,提出通過改變梁的上下層 Si3N4厚度,減小上翹彎曲角的方法降低驅(qū)動電壓,此方法不需要改變開關(guān)結(jié)構(gòu),在有效降低驅(qū)動電壓的同時開關(guān)的接觸力與回復(fù)力下降較少,開關(guān)具有良好的抗粘附能力,仿真結(jié)果表明可有效提高開關(guān)可靠性。
在分析、研究RF MEMS電容式開關(guān)可靠性失效機理的基礎(chǔ)上,建立、分析了充電實驗?zāi)P?,根?jù)RF MEMS開關(guān)的SEM數(shù)據(jù),對開關(guān)的失效進行了分類,給出了
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