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1、以94GHz為中心頻率的W波段(75-110GHz)大氣窗口有寬達(dá)23GHz的帶寬,是寶貴的頻譜資源。相比于紅外頻段電磁波和可見(jiàn)光,毫米波在大氣中衰減小,穿透性好,大部分低能見(jiàn)度的天氣條件對(duì)它的影響不大。諸多的優(yōu)點(diǎn)使毫米波適合應(yīng)用在雷達(dá)與制導(dǎo)系統(tǒng),毫米波電子對(duì)抗,毫米波通信等諸多領(lǐng)域。這些促使了毫米波段固態(tài)電路、尤其是集成電路的飛速發(fā)展。集成電路擁有諸多例如體積小,大批量生產(chǎn)的成本低等優(yōu)點(diǎn),而作為當(dāng)前主流的集成電路制造工藝,CMOS技術(shù)
2、是毫米波集成電路制造的上佳選擇。由于毫米波片上天線的研究對(duì)對(duì)毫米波集成電路系統(tǒng)單芯片(System-on-Chip)的實(shí)現(xiàn)具有關(guān)鍵性的意義,并且是一種提供片間與片內(nèi)互連的解決方案,CMOS工藝的片上天線成為近些年國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn),本文對(duì)94GHz CMOS工藝片上天線做了研究與設(shè)計(jì)。
第一章介紹了國(guó)內(nèi)外片上天線的研究現(xiàn)狀,介紹了基于低阻和高阻基底工藝的片上天線以及當(dāng)前流行的片上天線技術(shù):例如人工磁導(dǎo)體(AMC)技術(shù)與介質(zhì)諧振技
3、術(shù)等。第一章還闡述了系統(tǒng)單芯片集成天線的重要性以及阻礙。
第二章簡(jiǎn)單介紹了本文天線用到的工藝和主要技術(shù)。CMOS工藝雖擁有多優(yōu)勢(shì),但是其運(yùn)用的低阻抗硅基底給片上天線研究帶來(lái)很大的困難,因?yàn)樗o片上天線的輻射造成了嚴(yán)重的損耗。介質(zhì)諧振是本文用于提高片上天線的效率與增益,獲得理想方向圖的關(guān)鍵手段,不同的諧振模式、好的設(shè)計(jì)能夠使片上天線性能實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍,彌補(bǔ)低阻硅帶來(lái)的缺陷。
第三章介紹了94GHz微帶片上天線設(shè)計(jì)的基本思
4、路和片上天線測(cè)試方案,與現(xiàn)今主流的片上天線設(shè)計(jì)思路不同,微帶天線技術(shù)為本文片上天線的設(shè)計(jì)提供了思路,因?yàn)槠浣饘俚氐慕Y(jié)構(gòu)可以對(duì)天線輻射方向有一定的限定作用,從而減少低阻硅帶來(lái)的損耗。并且運(yùn)用微帶型式可以使設(shè)計(jì)成本大大降低,增加了集成的靈活度,并且同時(shí)片上天線獲得了良好的性能。驗(yàn)證了二氧化硅(SiO2)層的厚度的增加會(huì)使微帶結(jié)構(gòu)片上天線的增益提高。
第四章對(duì)相同結(jié)構(gòu)天線加載不同的矩形介質(zhì)塊,對(duì)不同天線結(jié)構(gòu)加載相同矩形介質(zhì)塊,得到了
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