過(guò)渡族金屬半導(dǎo)體化合物在新型高效太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用.pdf

1、本論文主要研究了過(guò)渡金屬半導(dǎo)體化合物在新型有機(jī)-硅及相關(guān)太陽(yáng)能電池的制備與性能表征。具體分為兩個(gè)部分，一是基于硅與共軛導(dǎo)電聚合物聚3，4二氧乙烯噻吩：聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）的高效有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)能電池的制備及性能研究；二是基于體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的（3-己基噻吩（P3HT）:富勒烯的衍生物（PC61BM）和聚苯并二噻吩（PTB7）:富勒烯的衍生物（PC71BM）的有機(jī)太陽(yáng)能電池的制備及性能研究。主要工作包括以下幾個(gè)方面：
　

2、　1.以平面硅為基底，通過(guò)溶液旋涂法制備有機(jī)導(dǎo)電薄膜 PEDOT:PSS，形成Si/PEDOT:PSS肖特基結(jié)的有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)能電池。將通過(guò)水熱法合成的層狀材料硫化鈷摻入PEDOT:PSS中。在PEDOT:PSS薄膜中分散均勻的硫化鈷可以有效地提高薄膜的導(dǎo)電率和功函數(shù)。從而有效減少在有機(jī)導(dǎo)電薄膜和硅之間的電子空穴復(fù)合，提高空穴的傳輸效率。通過(guò)加入層狀硫化鈷，可以將光電轉(zhuǎn)換效率從9.46％提高到11.22%。
　　2.通過(guò)金屬離

3、子輔助溶液刻蝕技術(shù)制備雙面硅納米線陣列，并使用四甲基氫氧化銨修飾硅納米線陣列。將得到的具有硅納米陣列的硅片制成 Si/PEDOT:PSS結(jié)構(gòu)的有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)能電池，并在硅片與背電極間引入由納米氧化鋅顆粒制成的空穴阻擋層。通過(guò)這種方法使得有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)能電池的效率提高到12.52%。效率的提升歸功于硅納米結(jié)構(gòu)對(duì)光吸收的增加，背電極接觸的改善以及空穴阻擋層對(duì)背面電荷復(fù)合的抑制。
　　3.分別制備以P3HT:PCBM和PTB7: