2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩88頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、本論文主要研究了過渡金屬半導(dǎo)體化合物在新型有機(jī)-硅及相關(guān)太陽能電池的制備與性能表征。具體分為兩個(gè)部分,一是基于硅與共軛導(dǎo)電聚合物聚3,4二氧乙烯噻吩:聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)的高效有機(jī)-無機(jī)雜化太陽能電池的制備及性能研究;二是基于體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的(3-己基噻吩(P3HT):富勒烯的衍生物(PC61BM)和聚苯并二噻吩(PTB7):富勒烯的衍生物(PC71BM)的有機(jī)太陽能電池的制備及性能研究。主要工作包括以下幾個(gè)方面:
 

2、 1.以平面硅為基底,通過溶液旋涂法制備有機(jī)導(dǎo)電薄膜 PEDOT:PSS,形成Si/PEDOT:PSS肖特基結(jié)的有機(jī)-無機(jī)雜化太陽能電池。將通過水熱法合成的層狀材料硫化鈷摻入PEDOT:PSS中。在PEDOT:PSS薄膜中分散均勻的硫化鈷可以有效地提高薄膜的導(dǎo)電率和功函數(shù)。從而有效減少在有機(jī)導(dǎo)電薄膜和硅之間的電子空穴復(fù)合,提高空穴的傳輸效率。通過加入層狀硫化鈷,可以將光電轉(zhuǎn)換效率從9.46%提高到11.22%。
  2.通過金屬離

3、子輔助溶液刻蝕技術(shù)制備雙面硅納米線陣列,并使用四甲基氫氧化銨修飾硅納米線陣列。將得到的具有硅納米陣列的硅片制成 Si/PEDOT:PSS結(jié)構(gòu)的有機(jī)-無機(jī)雜化太陽能電池,并在硅片與背電極間引入由納米氧化鋅顆粒制成的空穴阻擋層。通過這種方法使得有機(jī)-無機(jī)雜化太陽能電池的效率提高到12.52%。效率的提升歸功于硅納米結(jié)構(gòu)對(duì)光吸收的增加,背電極接觸的改善以及空穴阻擋層對(duì)背面電荷復(fù)合的抑制。
  3.分別制備以P3HT:PCBM和PTB7:

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論