p-型碲化鎘納米線的可控合成及其納米光電子器件應(yīng)用的研究.pdf

1、近年來(lái)由于一維納米結(jié)構(gòu)具有獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),被越來(lái)越多的人所關(guān)注。碲化鎘(CdTe)是一種非常重要的II-VI族半導(dǎo)體材料,在室溫下其禁帶寬度約為1.5eV。本論文以銻(Sb)粉作為摻雜源,CdTe粉為生長(zhǎng)源,采用熱蒸發(fā)方法成功合成了p型CdTe納米線。通過(guò)控制Sb在CdTe納米線中的摻雜量可以使碲化鎘納米線的導(dǎo)電率在4個(gè)數(shù)量級(jí)中變化。為了研究Sb的摻雜對(duì)于CdTe納米線的電學(xué)性能造成的影響,我們制備了基于單根CdTe:Sb納米線的

2、高性能場(chǎng)效應(yīng)管。通過(guò)控制加在柵極上的電壓,實(shí)現(xiàn)了對(duì)納米線電流的控制。發(fā)現(xiàn)溝道的電流隨著柵極電壓的升高而減小,表現(xiàn)出典型的p型半導(dǎo)體導(dǎo)電特性。構(gòu)建了基于Al/CdTe:Sb納米線的高性能肖特基二極管。經(jīng)過(guò)系統(tǒng)的電學(xué)測(cè)試表明該二極管具有很好的器件性能:整流比大于7個(gè)數(shù)量級(jí);理想因子非常接近理想二極管的理想因子,約為1.67。實(shí)驗(yàn)過(guò)程中當(dāng)反向電壓加到-17V左右時(shí),可以觀察到非常明顯的隧穿現(xiàn)象,隧穿電流大小約10-6A。隧穿現(xiàn)象可以重復(fù)穩(wěn)定出

3、現(xiàn)。將CdTe:Sb納米線分散到柔性PET薄膜上,制備了透明的可彎曲的肖特基二極管。并對(duì)其在受到外界應(yīng)力時(shí),電學(xué)特性的變化進(jìn)行了測(cè)試,證明其可以保持優(yōu)良的穩(wěn)定性。制備的基于CdTe:Sb納米線的高性能納米存儲(chǔ)器件,能在室溫下工作,具有非常優(yōu)秀的性能,其高阻態(tài)與低阻態(tài)的電阻比值高達(dá)106;器件置位電壓為4V-8V之間,復(fù)位電壓約0V;器件可以穩(wěn)定保持開態(tài)或者關(guān)態(tài)長(zhǎng)達(dá)6×104s。并且用PET代替SiO2/Si基底,制備了柔性的器件,其保持