2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本課題來(lái)源于02國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)-汽車(chē)電子與節(jié)能芯片，基于電子科技大學(xué)(UESTC)和無(wú)錫華潤(rùn)上華工藝廠(CSMC)合作開(kāi)發(fā)的國(guó)內(nèi)首條700V BCD工藝平臺(tái)，設(shè)計(jì)了一款片內(nèi)供電的單片AC/DC開(kāi)關(guān)電源芯片。在單芯片上集成了控制單元，片內(nèi)供電模塊，芯片保護(hù)電路和700V的功率MOSFET開(kāi)關(guān)，形成具有完整功能的單片功率系統(tǒng)。本芯片具有集成度高，應(yīng)用電路簡(jiǎn)單，效率高，EMI噪聲低等諸多優(yōu)點(diǎn)。本文對(duì)這款芯片中的片內(nèi)供電模塊，環(huán)路控制模塊和芯片保

2、護(hù)模塊進(jìn)行了分析和設(shè)計(jì)。
　　本文在進(jìn)行片內(nèi)供電模塊和環(huán)路控制模塊設(shè)計(jì)時(shí)，采用高壓JFET復(fù)用的方式來(lái)完成電路構(gòu)架。在功率MOSFET關(guān)斷時(shí)，高壓JFET從外接電源中抽取電能給芯片內(nèi)部其它模塊供電；在功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)，高壓JFET對(duì)功率MOSFET電流進(jìn)行比例采樣，進(jìn)行環(huán)路控制。這種設(shè)計(jì)方式使本芯片具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，集成度高，制造成本低等優(yōu)勢(shì)。
　　本文在進(jìn)行環(huán)路控制模塊設(shè)計(jì)時(shí)，采用了一種新型的環(huán)路控制策略：電流的PW

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