微波腔體耦合器內表面濺射金屬化研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著移動通信的高速發(fā)展,網絡的擴容升級和基礎設施的建設,成為目前國內通信業(yè)跨越式發(fā)展的必要條件,其中,室內覆蓋分布系統(tǒng)工程則是一個龐大的工程。室內分布系統(tǒng)中的腔體耦合器,起著消除盲區(qū)、抑制干擾、穩(wěn)定信號的作用,在移動通信信號分布上占有重要地位。
  為了提高傳輸特性,需要在這種微波腔體之內表面鍍覆銀層,這一工藝稱為金屬化。在國內,幾乎都是采用化學電鍍法對腔體進行金屬化,不僅污染大,成本高,而且鍍層與基底結合力差,容易脫落,這對耦合

2、器內表面金屬化課題提出了嚴峻的挑戰(zhàn)。
  本課題嘗試采用磁控濺射技術對耦合腔體進行金屬化。通過建模仿真研究,確認采用一定膜厚配比的Cu/Ag復合膜系,完全可以代替銀膜,實現各項微波性能,并降低生產成本;采用濺射工藝和復合膜系,成功地制備了結合力強、微波性能優(yōu)良的耦合腔體內表面膜,為微波耦合腔體金屬化的綠色制造提供了一種新途徑。
  論文的主要研究內容與成果有:
  1.通過建模與仿真研究認為,對于800M-2500MH

3、z頻段的6dB腔體耦合器,使用幾微米的Cu+Ag的復合膜系完全可以替代幾十微米純銀膜進行金屬化,并計算出Cu/Ag膜的最佳配比,不僅可以提高膜層與腔體的結合力,而且大大節(jié)省了金屬化的成本,這為微波腔體的濺射金屬化的可行性提供了理論依據與實驗指導。
  2.采用磁控濺射工藝以及復合膜系結構,系統(tǒng)地研究了濺射工藝對腔體微波性能的影響,首次成功地實現了微波腔體內表面濺射金屬化。研究結果表明:采用磁控濺射法沉積的2μmCu/2μmAg膜結

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