微波腔體耦合器內(nèi)表面濺射金屬化研究.pdf

1、隨著移動(dòng)通信的高速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)的擴(kuò)容升級(jí)和基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)，成為目前國(guó)內(nèi)通信業(yè)跨越式發(fā)展的必要條件，其中，室內(nèi)覆蓋分布系統(tǒng)工程則是一個(gè)龐大的工程。室內(nèi)分布系統(tǒng)中的腔體耦合器，起著消除盲區(qū)、抑制干擾、穩(wěn)定信號(hào)的作用，在移動(dòng)通信信號(hào)分布上占有重要地位。
　　為了提高傳輸特性，需要在這種微波腔體之內(nèi)表面鍍覆銀層，這一工藝稱為金屬化。在國(guó)內(nèi)，幾乎都是采用化學(xué)電鍍法對(duì)腔體進(jìn)行金屬化，不僅污染大，成本高，而且鍍層與基底結(jié)合力差，容易脫落，這對(duì)耦合

2、器內(nèi)表面金屬化課題提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。
　　本課題嘗試采用磁控濺射技術(shù)對(duì)耦合腔體進(jìn)行金屬化。通過(guò)建模仿真研究，確認(rèn)采用一定膜厚配比的Cu/Ag復(fù)合膜系，完全可以代替銀膜，實(shí)現(xiàn)各項(xiàng)微波性能，并降低生產(chǎn)成本;采用濺射工藝和復(fù)合膜系，成功地制備了結(jié)合力強(qiáng)、微波性能優(yōu)良的耦合腔體內(nèi)表面膜，為微波耦合腔體金屬化的綠色制造提供了一種新途徑。
　　論文的主要研究?jī)?nèi)容與成果有:
　　1.通過(guò)建模與仿真研究認(rèn)為，對(duì)于800M-2500MH

3、z頻段的6dB腔體耦合器，使用幾微米的Cu+Ag的復(fù)合膜系完全可以替代幾十微米純銀膜進(jìn)行金屬化，并計(jì)算出Cu/Ag膜的最佳配比，不僅可以提高膜層與腔體的結(jié)合力，而且大大節(jié)省了金屬化的成本，這為微波腔體的濺射金屬化的可行性提供了理論依據(jù)與實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)。
　　2.采用磁控濺射工藝以及復(fù)合膜系結(jié)構(gòu)，系統(tǒng)地研究了濺射工藝對(duì)腔體微波性能的影響，首次成功地實(shí)現(xiàn)了微波腔體內(nèi)表面濺射金屬化。研究結(jié)果表明:采用磁控濺射法沉積的2μmCu/2μmAg膜結(jié)