Sn、Al共摻雜ZnO薄膜的制備及其性能研究.pdf

1、透明導電氧化物薄膜材料因為其優(yōu)異的導電性和光學性能可作為透明電極,在太陽能電池、液晶顯示、發(fā)光二極管等光電領域得到廣泛應用。如今,研究最成熟、應用最廣泛的透明導電氧化物材料為銦錫氧化物(ITO)。但是銦為稀有金屬,價格昂貴,并且具有毒性,人們開始尋求新的材料來替代ITO。ZnO有較高的自然儲備,價格低廉,環(huán)境友好,而摻雜ZnO基薄膜擁有較好的光電性能,因此摻雜ZnO較有可能替代ITO材料作為透明電極。
　　本文采用不同質量比的Sn

2、O2、Al2O3、ZnO混合粉末燒結制備了陶瓷靶材,用射頻磁控濺射方法制備了Sn、Al共摻雜ZnO透明導電薄膜(ZATO)。利用XRD、AFM、SEM、XPS、UV-VIS、四探針測試儀和多功能薄膜表面性能測試儀等對薄膜的結構和性能進行了表征。詳細研究了ZATO薄膜制備過程中濺射氣壓、射頻濺射功率、氧氬比、退火氣氛、退火溫度、退火時間對ZATO薄膜的結構、表面形貌、電阻率、可見光透過率的影響;研究了不同Sn摻雜含量對ZATO薄膜的結構、