通信前端低噪聲放大器的設(shè)計與研究.pdf

1、隨著無線通信、雷達(dá)及空間技術(shù)的發(fā)展，人們對射頻電路部分的技術(shù)指標(biāo)要求越來越苛刻，低噪聲放大器在整個射頻電路部分處于不可或缺的部分，它的性能指標(biāo)直接影響到整個電路、系統(tǒng)的性能指標(biāo)。目前市場上的低噪聲放大器絕大部分采用SI和SiGe材料，但是這種材料的器件的噪聲系數(shù)一般很大，本文中采用了一種新型的以GaAs為襯底的PHMET高電子遷移率的晶體管，其表現(xiàn)出的低噪聲性能非常優(yōu)異。所以對GaAsLNA的研究成為國內(nèi)外的熱點課題之一。
　　

2、 本文對低噪聲放大器的設(shè)計原理和設(shè)計方法給出了詳細(xì)的說明，并根據(jù)設(shè)計思路和步驟，使用ADS軟件設(shè)計了1.92 GHz～1.98 GHz的窄帶低噪聲放大器，并在此基礎(chǔ)上結(jié)合平衡式和反饋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計了4 GHz～10 GHz的寬帶低噪聲放大器。
　　 本文設(shè)計的低噪聲放大器使用砷化鎵PHEMT晶體管AT36077，基于低噪聲放大器的設(shè)計理論，在射頻專業(yè)設(shè)計軟件ADS仿真平臺上設(shè)計的窄帶低噪聲放大器展示了良好的性能，采用了輸出并聯(lián)電

3、阻和柵極串聯(lián)電感的方法，使設(shè)計的低噪聲放大器的增益達(dá)到15 dB，帶內(nèi)波動小于0.5 dB，輸入輸出駐波比在全帶內(nèi)都不超過1.4，噪聲系數(shù)不到0.5 dB，而且線性度良好，在噪聲上還是增益上都達(dá)到最好的狀態(tài)。另外在這個基礎(chǔ)上采用平衡式與反饋式兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計出寬帶低噪聲放大器電路。先使用平衡式使信號可以從兩個分支通過，每個通路使用反饋式，使其在此通路中的增益平穩(wěn)，使設(shè)計的寬帶低噪聲放大器的帶寬達(dá)到6 GHz，增益大于10dB，帶內(nèi)波動小