高精度片上電源的研究與實(shí)現(xiàn).pdf

1、21世紀(jì)，科技日新月異，整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體工業(yè)相互促進(jìn)，迅猛發(fā)展。人們對(duì)大數(shù)據(jù)處理的日益渴望及對(duì)如智能手機(jī)、平板電腦的依賴(lài)，對(duì)集成電路的速度、功耗都提出了更高的要求。納米工藝的普及和進(jìn)一步發(fā)展成為大勢(shì)所趨，芯片面積和成本的考慮使得片上系統(tǒng)仍將在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái)主導(dǎo)模擬集成電路的方向。電源電壓的降低，電路速度的提高都對(duì)模擬電路的電源電路和基準(zhǔn)電路提出了更高的苛刻要求。本文正是基于如何實(shí)現(xiàn)完全集成于片內(nèi)的適應(yīng)于高精度模擬集成電路電源和基準(zhǔn)這

2、一研究熱點(diǎn)，展開(kāi)分析、探討，并最終在高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器和智能溫度傳感器這兩個(gè)不同類(lèi)型的電路中進(jìn)行了芯片實(shí)現(xiàn)。
　　本文對(duì)幾種常用的帶運(yùn)放的帶隙基準(zhǔn)源進(jìn)行了詳盡分析，對(duì)它們的性能從溫漂、失調(diào)、環(huán)路穩(wěn)定性、噪聲、電源抑制比、啟動(dòng)等多個(gè)方面進(jìn)行了比較。同時(shí)亦對(duì)無(wú)片外電容低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器進(jìn)行了較為詳盡的論述，對(duì)其各項(xiàng)指標(biāo)進(jìn)行分析和理論推導(dǎo)。在具體的設(shè)計(jì)中，結(jié)合不同系統(tǒng)對(duì)電路性能要求的側(cè)重點(diǎn)，選取優(yōu)化了電路結(jié)構(gòu)，并最終都進(jìn)行了流片。本文的