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文檔簡(jiǎn)介
1、高頻電磁波與等離子體相互作用的相關(guān)理論在當(dāng)代科學(xué)技術(shù)的很多領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用,例如等離子體診斷、等離子體天線(xiàn)、等離子體隱身技術(shù)等。本文主要研究了吉赫茲、太赫茲、黑體輻射遠(yuǎn)紅外等波段的高頻電磁波在幾種類(lèi)型的磁化、非磁化、均勻、非均勻等離子體層中的傳播特性,以及不同的等離子體參數(shù)對(duì)傳播特性的影響。
第一章,簡(jiǎn)介等離子體的基本定義、波在等離子體中傳播的特性、常規(guī)隱身技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn),介紹等離子體隱身技術(shù)的研究背景、原理、方法,國(guó)內(nèi)外研
2、究概況。
第二章,介紹本文采用的兩種研究方法,WKB方法和時(shí)域有限差分方法。
第三章,基于均勻等離子體平板模型,使用WKB方法和時(shí)域有限差分方法計(jì)算太赫茲電磁波在實(shí)驗(yàn)參數(shù)下非磁化等離子體中的吸收譜,結(jié)果表明WKB方法的計(jì)算量更少。利用WKB方法進(jìn)一步研究磁化等離子體中左旋波和右旋波的吸收譜,討論了等離子體參數(shù)變化對(duì)右旋波吸收譜中吸收間隙的影響。
第四章,引入理想黑體作為修正的輻射源,近似代替真實(shí)物體的特征輻
3、射,用WKB方法研究了黑體輻射的遠(yuǎn)紅外譜在均勻等離子體中的傳播特性,并與實(shí)驗(yàn)進(jìn)行對(duì)比。結(jié)果表明在一定參數(shù)條件范圍內(nèi),密度較高的等離子體層在吸收部分遠(yuǎn)紅外太赫茲電磁波能量的同時(shí),能夠移動(dòng)黑體輻射特征譜峰值的位置,控制和修改黑體輻射特征譜。此結(jié)論有利于在太赫茲波段的等離子體隱身以及遠(yuǎn)紅外波段探測(cè)的對(duì)抗。
第五章,考慮等離子體電子密度分布起伏,引入六種不同的磁化非均勻等離子體密度剖面分布,利用多層平板模型近似和WKB方法,得到了非均
4、勻等離子體對(duì)入射吉赫茲波段右旋波的反射、透射、吸收系數(shù),討論了等離子體參數(shù)對(duì)功率吸收特性的影響,總結(jié)了有利于吸收的等離子體密度分布具有的特征。結(jié)果表明,在低頻區(qū)域,電子密度分布剖面對(duì)吸收的影響更大;在高頻區(qū)域,平均電子數(shù)密度對(duì)吸收的影響更大。對(duì)總體上入射面電子密度高、出射面電子密度低的等離子體層,通過(guò)交換入射面和出射面,能有效提高功率吸收。
第六章,利用時(shí)域有限差分方法數(shù)值研究了覆蓋不同非磁化非均勻等離子體層的金屬平板對(duì)入射吉
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