瞬態(tài)電致發(fā)光在不同OLED器件發(fā)光機理中的應用.pdf

1、有機電致發(fā)光作為新型的發(fā)光技術(shù)越來越被人們認識和使用，在過去的幾十年內(nèi)，通過發(fā)光材料和器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化以及制備工藝的改革，有機電致發(fā)光器件的發(fā)光性能得到了很大的提升，但是有機電致發(fā)光的發(fā)光機理至今也沒有一個統(tǒng)一的理論，因此有機電致發(fā)光器件內(nèi)部發(fā)光機理的研究也顯得越來越重要。基于以上介紹，本文主要做了以下工作:
　　利用熱蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備，制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS/ m-MTDATA(20nm)/m-MTDATA∶3

2、TPYMB(1∶1,40nm)/3TPYMB(20nm)/LiF(0.8nm)/Al(80nm)的器件，并利用瞬態(tài)電致發(fā)光測量系統(tǒng)對其電子發(fā)光進行了測量，測量脈沖為兩個周期性的驅(qū)動脈沖，兩個脈沖的時間間隔為100us、300us、500us。研究發(fā)現(xiàn)在第二個脈沖驅(qū)動下器件的EL強度穩(wěn)定值比第一驅(qū)動驅(qū)動下的EL強度穩(wěn)定值大，且第二脈沖的EL強度穩(wěn)定值與第一脈沖EL強度穩(wěn)定值的比值隨通過器件的電流增大而減小，實驗還發(fā)現(xiàn)第二脈沖撤銷時的延遲發(fā)

3、光衰減速度要比第一脈沖撤銷時的快，這是由于第二脈沖撤銷時發(fā)光層內(nèi)極化子（電荷）對激子的猝滅(TPQ)比較嚴重。
　　制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/Alq3(70，80，90，100nm)/Al(80nm); ITO/Alq3(10nm)/Bphen(20,30,40nm)/Al(80nm); ITO/NPB(10,20,30,40nm)/Alq3(20nm)/LiF/Al(80nm)的三大組基礎(chǔ)器件。利用瞬態(tài)電致發(fā)光測量系統(tǒng)進行測量，研

4、究發(fā)現(xiàn)相同電流密度下，電子傳輸層厚度越大在，器件達到穩(wěn)定發(fā)光所需要的時間越短，這是因為要達到相同的電流密度，器件厚度越大，所需的電壓越高，較高的電壓提高了電子和空穴的注入能力，因此對器件發(fā)光達到穩(wěn)定發(fā)光的時間起到了縮減的作用。
　　制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT/TAZ∶ Ir0(10％wt)/LiF/Al的一組器件，其中發(fā)光層采用甩膜法制備，甩膜速度分別為1500 r/min、2000 r/min、2500 r/min、30