梯度磁場下Ni50Cu50和Ni99B1過冷熔體中的枝晶生長動力學.pdf

1、枝晶是材料凝固過程中最常見的結(jié)晶形態(tài)，枝晶生長也一直是材料科學領(lǐng)域的重要研究課題。近年來，有關(guān)純物質(zhì)及二元合金中的枝晶生長機制已經(jīng)有了深入而系統(tǒng)的研究。梯度磁場產(chǎn)生的洛倫茲力、磁化力等可以有效地控制熔體流動，在材料科學研究中也得到了應(yīng)用。因此，有必要對不同梯度磁場下固溶體合金過冷熔體中枝晶生長速率的規(guī)律進行系統(tǒng)研究，并且采用理論模型進行驗證。
　　本文采用熔融玻璃凈化的深過冷方法，實現(xiàn)了梯度磁場下Ni50Cu50和Ni99B1熔體

2、的深過冷實驗。實驗中，利用單色紅外測溫儀測量樣品表面溫度的變化，高速攝影機記錄再輝過程，采用三維動畫模擬軟件重現(xiàn)熔體的再輝，最后通過計算得出過冷熔體中不同過冷度下的枝晶生長速率。并且對Ni50Cu50和Ni99B1熔體的冷卻曲線進行了分析，采用Galenko修正后的LKT/BCT模型[11,58]對不同磁場下兩種不同成分固溶體中的枝晶生長動力學進行了研究。獲得以下主要結(jié)論:
　　(1)無論施加磁場與否，隨過冷度的增大，Ni50Cu

3、50和Ni99B1中都發(fā)生了溶質(zhì)截留現(xiàn)象。在溶質(zhì)截留現(xiàn)象明顯體現(xiàn)處枝晶生長速率增長變緩，枝晶生長方式中擴散控制起主導作用;Ni50Cu50和Ni99B1所獲得的臨界過冷度ΔT*分別為170K和200K，大于臨界過冷度時，發(fā)生完全的溶質(zhì)截留現(xiàn)象，枝晶生長速率呈線性增長，枝晶生長方式由擴散控制轉(zhuǎn)變?yōu)闊峥刂?。梯度磁場對發(fā)生完全溶質(zhì)截留的臨界過冷度ΔT*值無明顯影響。
　　(2)梯度磁場對中低過冷度區(qū)域的枝晶生長速率具有明顯的影向。隨磁場

4、強度增加，Ni50Cu50和Ni99B1枝晶生長速率逐漸減小。當中心磁場強度B=3T時，生長速率達到最小。當B＞3T后，枝晶生長速率隨磁場強度增加逐漸回升。在大過冷度區(qū)域，梯度磁場對枝晶生長速率沒有明顯影響。這一影響規(guī)律和梯度磁場對純物質(zhì)枝晶生長速率的影響規(guī)律非常相似。
　　(3)分析認為，適當?shù)奶荻却艌隹捎行б种芅i50Cu50和Ni99B1熔體中的對流，使枝晶生長速率降低。當中心磁場強度B＞3T時，梯度磁場對對流的促進作用大于