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文檔簡介
1、近年來,隨著 UVLED技術(shù)的進一步發(fā)展,其以廣泛的應用優(yōu)勢涉及到了生活的各個領(lǐng)域,特別是在半導體照明領(lǐng)域,對于提高紫外LED的光效和亮度的研究仍然很重要,本文介紹了提高LED內(nèi)外量子效率的一些有效手段,最后就P型層對于 LED發(fā)光效率的影響進行了詳細的研究。通過表征手段 X射線衍射、光致熒光譜分析了不同生長參數(shù)下外延片的質(zhì)量及光致發(fā)光波長等方面的差異,對于經(jīng)過常規(guī)LED正裝工藝制成的芯片,采用EL表征了器件的發(fā)光特性。
本文
2、具體對于紫外 LED的P型結(jié)構(gòu)的研究,是通過 P型 AlGaN電子阻擋層的厚度及Al組分的優(yōu)化,在 Al組分為0.2,厚度達到12.5nm左右的時候,認為電子阻擋層不僅抑制了量子阱中位錯的延伸,使得外延片的質(zhì)量提高,而且還有效的抑制了電流的溢出,達到了提高光效的目的,對于P型GaN層的優(yōu)化,采取TMGa流量、CP2Mg流量的改變來優(yōu)化其厚度和生長速率,在 TMGa流量為30sccm,CP2Mg流量為170sccm時,進一步提高了LED的
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