氧化鋅基納米復(fù)合材料的制備及其光催化性能的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來，環(huán)境污染問題愈發(fā)嚴(yán)重，目前解決這一問題有效的方法之一是利用光催化降解技術(shù)來降低有機污染物對于環(huán)境的污染。半導(dǎo)體光催化劑因具有特殊的性能而引起了人們的關(guān)注，其中ZnO因具有化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、無毒、易制備，且光敏性能強、禁帶能級寬(3.37 eV)、氧化能力強等特點，是應(yīng)用較多的光催化材料之一。但是，ZnO的電子-空穴對復(fù)合率比較高，并且它的光響應(yīng)范圍主要集中在紫外光區(qū)域。而將ZnO與某些窄帶隙的半導(dǎo)體材料復(fù)合可以有效改善其光催化性能。

2、CdS因具有高的光吸收率和與ZnO相似的晶格結(jié)構(gòu)而作為首選復(fù)合材料之一。
　　本論文采用兩步法制備了ZnO/CdS核殼結(jié)構(gòu)納米復(fù)合材料，首先利用水熱法在Si片上生長ZnO納米線，研究了籽晶層、前驅(qū)體濃度、聚乙烯亞胺(PEI)濃度對ZnO納米線結(jié)構(gòu)及形貌的影響，并制備出長徑比為35、沿c軸生長的ZnO納米線；其次對此條件下生長的ZnO納米線進行離子交換實驗以制備ZnO/CdS核殼結(jié)構(gòu)納米復(fù)合材料，并研究了離子交換時間和反應(yīng)液濃度對Z

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