近紅外上下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制備與發(fā)光性質(zhì)研究.pdf

1、本文通過溶劑熱法，在較為溫和的制備條件下(200～250℃)，無需使用任何保護(hù)氣氛，制備了具有較高結(jié)晶性的硫氧化釔微納米材料。通過調(diào)控反應(yīng)體系中S2-離子的濃度可調(diào)控產(chǎn)物的微觀形貌，依次可得到粒徑為20nm的納米片，粒徑都為2μm的由納米片組裝的盤狀結(jié)構(gòu)和花狀結(jié)構(gòu)，以及粒徑為1.5μm的納米粒子堆積的球狀結(jié)構(gòu)。通過摻雜Yb3+，Er3+等稀土離子，研究了不同形貌Y2O2S微納米材料在980nm激光激發(fā)下的上轉(zhuǎn)換發(fā)光性質(zhì)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)以球狀結(jié)

2、構(gòu)的Y2O2S作為熒光基質(zhì)其上轉(zhuǎn)換發(fā)光效果最佳，發(fā)出明亮的綠光，其發(fā)光強(qiáng)度與高溫固相法制得的Yb3+，Er3+摻雜的NaYF4相當(dāng)，可用于制備上轉(zhuǎn)換太陽能電池增效光學(xué)薄膜，生物熒光檢測，近紅外光轉(zhuǎn)換和檢測等領(lǐng)域。
　　另外，本文也用高溫固相法制備了一種新的Bi3+，Yb3+共摻雜GdVO4量子裁剪近紅外發(fā)光材料，該材料在波長為250～400nm的紫外光激發(fā)下發(fā)射出很強(qiáng)的近紅外光(900～1100nm)。由于體系中Bi3+離子的引入

3、，相對(duì)于Gd0.9Yb0.1VO4，Gd0.87Yb0.1Bi0.03VO4在989nm處的近紅外發(fā)光強(qiáng)度提高近120％，且其激發(fā)峰也從323nm紅移至341nm，整個(gè)激發(fā)譜帶更寬，更有利于實(shí)際應(yīng)用。由于Yb3+離子既可以利用基質(zhì)中的VO43-電荷遷移態(tài)躍遷的能量，也可以同時(shí)利用Bi3+的1S0-3p1能級(jí)躍遷傳遞能量，相對(duì)于目前報(bào)道的理論量子裁剪效率最高的YVO4∶Bi3+，Yb3+，GdVO4∶Bi3+，Yb3+無論其近紅外發(fā)光強(qiáng)度