光子晶體結構電致變色材料的制備及其電致變色性能研究.pdf

1、電致變色材料由于其獨特的光-電特性，在顯示器件、智能窗、電子紙、軍事偽裝、信息儲存等方面有著廣泛的應用前景。光子晶體獨特的操控光的能力使得它可以控制光子的產(chǎn)生和光的傳播。本文為了提高電致變色材料的電致變色性能，將光子晶體結構引入到普魯士藍（PB）和聚3,4-乙撐二氧噻吩（PEDOT）中，進行了以下研究：
　　1.合成了單分散的二氧化硅微球并制備得到光子晶體。以此為模板制備了核-殼結構的SiO2@PEDOT光子晶體薄膜。SiO2@P

2、EDOT光子晶體的循環(huán)伏安性能與純PEDO T大致一樣，最大對比度增加了12.4％；并且著色時間變短。
　　2.以SiO2光子晶體為模板通過電化學沉積法得到核-殼結構的SiO2@PB光子晶體薄膜。所得SiO2@PB光子晶體的循環(huán)伏安性能比純PB有所提高，最大對比度增加了17%；并且響應時間大大變短。
　　3.制備了四種不同粒徑（173 nm、242 nm、290 nm和318 nm）的PS微球，自組裝得到了紅色、橙色、綠色和

3、藍色四種顏色的PS光子晶體。通過電化學聚合得到了四種PS@PEDOT的復合材料，測試發(fā)現(xiàn)PS@PEDOT復合薄膜比純PEDO T薄膜的電致變色性能要好，對比度增加。其中PS@PEDOT290復合薄膜的電致變色性能最好，對比度達到了34%，且褪色時間縮短。
　　4.去除PS微球得到反蛋白石結構的PEDO T薄膜，性能測試發(fā)現(xiàn)，孔徑最小的反蛋白石結構PEDO T薄膜的有序性最好，循環(huán)伏安性能變好。四種薄膜的對比度都有所增加，最高值達到