靜電紡絲技術(shù)制備Al2O3-Cr3+低維納米材料與表征.pdf_第1頁(yè)
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1、低維納米材料作為器件和材料的基本構(gòu)成單元對(duì)集成電路和功能性元件的構(gòu)筑將起到十分重要的作用，其制備和加工是納米技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。靜電紡絲技術(shù)因其高效、操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，近年來(lái)已成為制備無(wú)機(jī)氧化物低維納米材料的重要方法之一。Al2O3：Cr3+本身具有的良好性能使其成為重要的激光工作物質(zhì)，Al2O3：Cr3+納米發(fā)光材料也受到人們的廣泛關(guān)注。因此，采用靜電紡絲技術(shù)制備Al2O3：Cr3+低維納米材料將是一個(gè)有意義、重要的研究課題。

2、>　　本論文中采用靜電紡絲技術(shù)制備出了Al2O3：Cr3+和Cr2O3納米纖維、納米帶，采用同軸靜電紡絲技術(shù)制備了Al2O3：Cr3+空心納米纖維。采用TG-DTA、FESEM、XRD、FTIR、EDS和PL等分析測(cè)試手段對(duì)樣品進(jìn)行了系統(tǒng)地表征，結(jié)果表明：Al2O3：Cr3+和Cr2O3納米纖維的直徑為78nm～100nm；Al2O3：Cr3+和Cr2O3納米帶的寬度為1～2μm，厚度為100～200nm。
　　以羅丹明B做為降解

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