化學(xué)氣相沉積法制備寬帶硬質(zhì)薄膜材料.pdf

1、考慮到目前寬帶硬質(zhì)半導(dǎo)體薄膜材料制備中存在的問題,對傳統(tǒng)的CVD方法進(jìn)行改造,以新型的DBD為離子源成功構(gòu)建出運(yùn)行穩(wěn)定的DBD-CVD系統(tǒng),沉積出寬帶硬質(zhì)DLC薄膜;采用熱絲與電容耦合式射頻等離子體共同輔助CVD的方法,在商用石英襯底上沉積出帶隙可調(diào)的寬帶硬質(zhì)BPxN1-x薄膜。本文介紹了介質(zhì)阻擋化學(xué)氣相沉積技術(shù)(DBD-CVD)、類金剛石(DLC)薄膜、氮化硼(BN)薄膜等的研究進(jìn)展。對DBD及DBD-CVD的歷史、理論及應(yīng)用做了全面

2、的總結(jié);對DLC薄膜和BN薄膜的結(jié)構(gòu)、性能、應(yīng)用和制備方法做了詳細(xì)的分析和討論。DBD作為一種典型的非平衡等離子放電形式,具有很廣泛的應(yīng)用前景,它可以在常壓下運(yùn)行,也可以在低氣壓下運(yùn)行,提供高能量的等離子體,從而降低沉積溫度,提高沉積速率。DLC薄膜是一種重要的寬帶硬質(zhì)半導(dǎo)體薄膜,它具有高硬度、低摩擦系數(shù)、良好的化學(xué)惰性、容易大面積成膜等優(yōu)異性能。BN薄膜是一種具有廣泛應(yīng)用前景的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體,它的禁帶寬度較寬(6.4eV),硬度