特高壓VFTO對二次設備電磁騷擾的研究.pdf

1、特高壓GlS變電站隔離開關操作時所產(chǎn)生的VFTO會影響二次設備的正常工作,本論文結合國家重點基礎研究發(fā)展計劃(973計劃)“交直流特高壓輸電系統(tǒng)電磁與絕緣特性的基礎問題研究”(項目編號:2011CB209405),主要是針對VFTO輻射場對二次設備的電磁騷擾進行了研究。由于其屬于瞬態(tài)電磁學的研究領域,因此采用時域有限差分法(FDTD)作為本論文研究的理論基礎。
　　 論文首先從理論上分析了電磁場屏蔽的基本原理、VFTO輻射場對二

2、次設備的耦合機理以及耦合途徑。其次論文結合FDTD的基本原理,使用電磁場仿真軟件XFDTD建立有孔矩形腔體計算模型,并定義了VFTO空間場仿真激勵源。通過改變開孔的形狀、開孔的長寬比、孔陣之間的距離以及孔陣的數(shù)量等參數(shù),論文分析了腔體上的開孔對腔體內耦合場的影響。由于二次設備內部存在的PCB板會影響耦合場的時域及頻域特性,論文通過改變介質板與開孔的距離、介質板的尺寸等參數(shù),分析了含介質板的腔體耦合場的時域與頻域特性。然后論文研究了VFT

3、O輻射場對二次設備內部微帶線的影響,通過改變開孔的尺寸、電場的極化方向分析了屏蔽體內的微帶線上所感應的騷擾電壓水平。由于外界電磁波還會通過電纜的裸露部分耦合進入二次設備內部,因此論文還研究了在VFTO空間場下裸露在自由空間中的短線纜長度參數(shù)的改變對二次設備內部電了線路的影響。為了對仿真結果進行驗證,論文將某實際二次設備放到1000kVGIS真型平臺中進行現(xiàn)場模擬測試,模擬GIS變電站中隔離開關操作所產(chǎn)生的VFTO輻射場對二次設備的電磁騷