甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸-雙馬來酰亞胺共聚物及聯苯型PI的合成、電存儲器件的制備與性能研究.pdf

1、研究發(fā)現含電子給體和電子受體的功能化聚酰亞胺（PI）具有良好的電存儲性能，但絕大部分的PI均難溶，使得將PI用于制備電存儲器件變得十分困難。本文合成了甲基丙烯酸甲酯(MMA)-雙馬來酰亞胺(BMI)共聚物、MMA-丙烯酸(AA)-BMI共聚物及聯苯型聚酰亞胺（PI(BPDA-ODA)，即聚3,3’,4,4’-聯苯四甲酸二酐-4,4’-二氨基二苯醚酰亞胺），用旋涂法制備以其為功能層的電存儲器件。研究了MMA-BMI共聚物、MMA-AA-B

2、MI共聚物及PI(BPDA-ODA)的存儲性能，并分析了電存儲機理。具體的研究結果如下：
　　（1）通過對共聚物進行熱性能分析，我們得到MMA-BMI共聚物初始分解溫度為248~312℃，而MMA-AA-BMI共聚物的初始分解溫度在200~360℃。利用原子力顯微鏡對功能層薄膜的表面形貌進行表征，得出 MMA-BMI共聚物具有良好的成膜性。
　　（2）以 MMA-BMI共聚物為功能層制備電存儲器件 ITO/MMA-BMI/A

3、g。所得器件的開啟和關閉的閥值電壓均在2V左右，當功能層 BMI含量為2.00％時，器件ITO/MMA-BMI/Ag的電流開關比（ON/OFF值）較高，可以達到104~105，在低阻態(tài)（LRS）時遵循 Ohmic傳導機制，而在高阻態(tài)（HRS）時遵循 SCLC電導機制。當BMI含量為1.00%和3.00%時，器件ITO/MMA-BMI/Ag的ON/OFF值較小，遵循Ohmic傳導機制。
　　（3）以MMA-AA-BMI共聚物為功能層

4、的器件，當AA的含量為5.00%和10.00%時，器件表現出電存儲性能，其閥值電壓約為2V，ON/OFF值為102。
　?。?）研究發(fā)現器件Al/PI(BPDA-ODA)/Al具有較低的閥值電壓，約為1.98V，具有較大的電流開關比（ON/OFF的值為105~109）和較好的穩(wěn)定性。對器件的存儲機理進行分析后得出該器件的存儲機制遵循Ohmic傳導機制。
　?。?）對功能層厚度對器件存儲特性的影響進行研究，結果表明功能層厚度太