超高頻塑封高壓硅堆的研制.pdf

1、高壓硅堆是彩電和彩色顯示器行輸出電路中的關(guān)鍵器件,其開關(guān)速度的快慢直接限制了行掃描頻率的高低.隨著高清晰顯示技術(shù)的發(fā)展,行掃描頻率越來越高,國際(主要是日本)硅堆產(chǎn)品已經(jīng)迅速更新?lián)Q代,并形成技術(shù)壟斷.國內(nèi)目前沒有生產(chǎn)反向恢復(fù)時間在55ns以下的高頻高壓硅堆的技術(shù)和能力,相關(guān)企業(yè)面臨著巨大的生存壓力.1999年,北京工業(yè)大學(xué)與國家生產(chǎn)硅堆的重點企業(yè)南通皋鑫公司合作,在科技部立項,對這一問題進(jìn)行專題研究.該文工作是這一項目工作中最基礎(chǔ)、最重

2、要的部分.該項目的主要內(nèi)容是保證其它參數(shù)不變的前提下,盡可能的減小反向恢復(fù)時間.我們采用數(shù)值分析的方法,仿真了局域低壽命區(qū)在硅堆中單個p-i-n二極管不同軸向位置上對器件主要性能參數(shù)的影響.根據(jù)這些仿真結(jié)果,分析了器件結(jié)構(gòu)參數(shù)的調(diào)整對器件電參數(shù)的影響,并進(jìn)一步分析了擴(kuò)鉑條件的變化對電參數(shù)的影響程度.根據(jù)以上分析結(jié)果,進(jìn)行了相應(yīng)的試驗,試驗結(jié)果與理論相符.試驗證明,增加擴(kuò)鉑溫度,減小擴(kuò)鉑時間可以有效的解決反向恢復(fù)時間和漏電流之間的折衷問題