一種高速高壓半橋驅(qū)動(dòng)電路的分析與設(shè)計(jì).pdf

1、本文設(shè)計(jì)了一種可應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制的高速、高壓半橋驅(qū)動(dòng)電路，其具有可驅(qū)動(dòng)兩個(gè)中功率MOSFET或IGBT管、實(shí)現(xiàn)DC/AC逆變等功能。
　　 論文的主要工作有：描述了高壓集成電路(HVIC)的主要技術(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域；對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的主要結(jié)構(gòu)與特性進(jìn)行了分析研究，依據(jù)應(yīng)用要求提出了半橋驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)方案，并對(duì)電路的主要參數(shù)進(jìn)行了分析計(jì)算；詳細(xì)分析設(shè)計(jì)了主要模塊電路即輸入級(jí)電路、死區(qū)時(shí)間產(chǎn)生電路、欠壓保護(hù)電路、高電平位移電路與輸出

2、級(jí)電路的結(jié)構(gòu)與功能。
　　 輸入級(jí)電路實(shí)現(xiàn)了TTL的5V輸入電平到15V電平的位移，并對(duì)輸入波形進(jìn)行了整形；死區(qū)時(shí)間產(chǎn)生電路控制高低兩路產(chǎn)生了兩個(gè)有時(shí)間間隔的信號(hào)，避免了輸出同時(shí)為高電平而導(dǎo)致的直通現(xiàn)象；欠壓保護(hù)電路通過(guò)采樣電壓與基準(zhǔn)電壓相比較，輸出一個(gè)高電平，鎖定高低兩路信號(hào)輸出；電平位移電路實(shí)現(xiàn)了脈沖信號(hào)由低到高的平移，為了避免普通MOS管被高壓擊穿，采用了具有特殊結(jié)構(gòu)的耐高壓LDMOS管；為了防止靜電效應(yīng)與噪聲干擾，在輸入