ZnO@SnO-,2-包覆結(jié)構(gòu)透明導(dǎo)電薄膜的制備及其發(fā)光性能研究.pdf

1、氧化物透明導(dǎo)電薄膜被廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、液晶顯示屏、等離子顯示屏、抗靜電涂層以及半導(dǎo)體/絕緣體/半導(dǎo)體(SIS)異質(zhì)結(jié)、現(xiàn)代戰(zhàn)機(jī)和巡航導(dǎo)彈的窗口等領(lǐng)域。研究表明，ZnO透明導(dǎo)電薄膜存在表面和晶粒間界氧吸附導(dǎo)致電學(xué)性能下降，SnO2透明導(dǎo)電薄膜存在難以刻蝕等問(wèn)題，這極大的限制了ZnO、SnO2透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用范圍。ZnO@SnO2薄膜兼?zhèn)鋃nO和SnO2的優(yōu)點(diǎn)，這將有利于ZnO、SnO2透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用領(lǐng)域。
　　 本論文采

2、用以溶膠-凝膠法為基礎(chǔ)的二步成膠工藝制備ZnO@SnO2包覆結(jié)構(gòu)的粉體和透明導(dǎo)電薄膜。采用X射線衍射(XRD)、透射電子顯微分析(TEM)、X射線光電子能譜(XPS)對(duì)粉體樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)分析和包覆性能表征，結(jié)果表明，ZnO@SnO2是以ZnO為核、SnO2為殼的核殼式包覆結(jié)構(gòu)，是一種化學(xué)包覆結(jié)構(gòu)，ZnO和SnO2之間以化學(xué)鍵Zn-O-Sn結(jié)合；并且當(dāng)Zn/Sn摩爾比為8/12包覆效果較好。
　　 利用NKD-8000e和四探針測(cè)

3、試儀對(duì)ZnO@SnO2包覆結(jié)構(gòu)的光學(xué)和電學(xué)性能進(jìn)行表征，結(jié)果表明，可見(jiàn)光透過(guò)率均超過(guò)80％，當(dāng)Sb摻雜濃度4at％，退火溫度為600℃，Zn/Sn摩爾比為9/12時(shí)，電阻率最低可達(dá)1.1×10-3Ω.cm；討論了Zn/Sn摩爾比、退火溫度、摻雜濃度、薄膜厚度等對(duì)可見(jiàn)光透過(guò)率和電阻率的影響。
　　 研究了ZnO@SnO2包覆結(jié)構(gòu)的光致發(fā)光特性，發(fā)現(xiàn)SnO2的包覆會(huì)使ZnO中的藍(lán)光發(fā)射得到增強(qiáng)，原因是SnO2包覆結(jié)構(gòu)增加了Zn空位缺