負(fù)載有硒化物的二氧化鈦納米帶的合成與性能表征.pdf

1、二氧化鈦是一種重要的n型半導(dǎo)體氧化物，因?yàn)榫哂幸幌盗袃?yōu)良的光化學(xué)性質(zhì)，使它在環(huán)保，化工，建材，新能源材料方面有巨大的應(yīng)用價(jià)值。隨著研究的深入，對(duì)二氧化鈦的研究已從傳統(tǒng)的零維納米粒子逐漸向一維納米材料發(fā)展。與普通的零維二氧化鈦納米材料相比，一維二氧化鈦納米材料具有更大的比表面積和更高的電荷載流子傳輸速率，同時(shí)還由于光生載流子沿著一維長(zhǎng)軸方向的傳遞，減少了由于大量晶界的存在而造成的光電子的損失。由此可見，一維二氧化鈦納米材料在實(shí)際應(yīng)用上將更

2、具優(yōu)勢(shì)，論文的第二章詳細(xì)介紹了通過水熱法制備二氧化鈦納米帶的全過程，材料表現(xiàn)出不錯(cuò)的形貌特征。然而，由于二氧化鈦的禁帶寬度達(dá)3.2eV，使其對(duì)光能的利用局限在紫外光區(qū)，總體光能利用率不高，這成為了二氧化鈦大規(guī)模應(yīng)用的瓶頸，因此，對(duì)二氧化鈦納米材料的改性成為了研究的新熱點(diǎn)。在眾多改性措施中，與其它半導(dǎo)體復(fù)合是一個(gè)重要方面，本論文第三章至第六章著重研究了硒化物對(duì)銳鈦型二氧化鈦納米帶的負(fù)載改性。實(shí)驗(yàn)采用水熱法先后制備了硒化鎘、硒化鋅、硒化鉍、