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文檔簡介
1、本文主要對PIN光電探測器組件進行了研究,首先介紹了本課題的研究背景和意義、國內(nèi)外研究現(xiàn)狀及光電探測器組件的應(yīng)用。其次分析了PIN光電探測器的工作原理及PIN光電探測器的性能參數(shù);然后對PIN光電探測器的的放大電路進行了介紹及性能分析;最后對組件的綜合性能指標和組件的應(yīng)用進行了分析。
然后根據(jù)分析,以及組件的性能指標要求:該線陣光電探測組件的敏感元元數(shù)為8元,單元光敏面積為1×0.4mm,單元間隔為0.9mm,敏感區(qū)總長度
2、不超過10mm;敏感元間串?dāng)_:≤3%;上升時間:tr≤12ns;中心響應(yīng)波長:860nm;響應(yīng)度:≥1×105V/W;噪聲峰峰值≤25mv;光窗加濾光膜860±10nm;封裝:TO-25,直徑φ25mm,不含管腳高度≤25mm;單電源供電:+15V;輸出脈沖極性:正脈沖;輸出阻抗:≤100Ω;最大輸出幅度:≥3V;環(huán)境特性要求:儲存溫度:-50℃~+65℃,工作溫度-40℃~+50℃。然后對本設(shè)計中的8象元陣列進行了暗電流性能分析、象元
3、串?dāng)_分析、象元輸出一致性分析以及探測器的結(jié)構(gòu)優(yōu)化分析。
然后設(shè)計了光刻版圖和芯片生產(chǎn)的整個工藝流程,保證了芯片的順利流片,最后對生產(chǎn)的PIN光電探測器芯片進行了中測測試,測試其暗電流特性,驗證整個芯片的性能。對探測器的放大電路進行了改進優(yōu)化設(shè)計。根據(jù)組件的應(yīng)用的激光的波長,探測器芯片的性能參數(shù),對放大電路的各個模塊進行了理論分析及性能優(yōu)化,從而設(shè)計了完整的放大電路的結(jié)構(gòu)。然后根據(jù)放大電路結(jié)構(gòu)和探測器芯片模型對電路進行了仿真
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