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文檔簡介
1、隨著BCD工藝的發(fā)展,對BJT器件特性的要求也愈發(fā)嚴格,這對BJT模型參數(shù)提取必然提出更高的要求。一方面,芯片設計者希望模型能更真實地反映工藝水平,從而提高產品的良率。這樣對模型的準確度就有了更高的要求。另一方面,設計者希望盡早得到BJT模型用以仿真以便能更快完成設計,使產品盡快推出市場。這又要求我們用盡量短的時間完成BJT模型參數(shù)的提取。而目前BJT的參數(shù)提取對于MOS器件相對落后,不能滿足上述需求。
在這樣的形勢下,本文在
2、傳統(tǒng)BJT的特性曲線擬合的基礎上,增加了電學參數(shù)擬合,使模型更接近工藝的目標值以便更能反映工藝的實際水平。并著重引進了電路級別的參數(shù)提取及其方法,從而縮小單個器件與實際電路中器件特性的仿真差別,進一步提高了模型的準確度,使設計者對工藝水平有更準確的理解,從而更好地優(yōu)化電路,設計出更有競爭力的產品。另一方面,為了提高 BJT模型參數(shù)提取的效率,針對目前商用軟件定制化提取優(yōu)化的種種不足,無法滿足整個BJT參數(shù)提取的需求的現(xiàn)狀,整理出一套適合
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