基于CdO高溫?zé)犭娦阅苎芯?pdf

1、氧化鎘（CdO）是一種遷移率較高的n型半導(dǎo)體材料，在中高溫?zé)犭姲l(fā)電領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用價(jià)值。本論文利用傳統(tǒng)高溫固相反應(yīng)法燒結(jié)制備了CdO基陶瓷材料并研究了其高溫電熱輸運(yùn)性能，主要內(nèi)容和結(jié)論如下：
　　1、利用傳統(tǒng)高溫固相反應(yīng)法制備了CdO基多晶陶瓷材料并研究了MgO、Cu2S及納米SiO2摻雜對(duì)CdO陶瓷結(jié)構(gòu)、微結(jié)構(gòu)及電熱輸運(yùn)性能的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，上述摻雜可以顯著影響CdO陶瓷的微結(jié)構(gòu)及載流子濃度和遷移率，從而對(duì)樣品的電熱輸運(yùn)性能產(chǎn)生

2、影響。
　　2、MgO摻雜一方面使CdO陶瓷的電阻率和塞貝克系數(shù)同時(shí)增大、功率因子有所下降。另一方面可以顯著降低其熱導(dǎo)率,從而使CdO熱電性能大幅提高。最佳摻雜樣品Cd0.89Mg0.11O的熱電優(yōu)值ZT在1000K時(shí)高達(dá)0.46，為目前n型氧化物熱電材料報(bào)道的最好結(jié)果。
　　3、Cu2S摻雜可以使CdO陶瓷的電阻率減小、在一定程度上改善了CdO陶瓷的功率因子，但對(duì)熱導(dǎo)率降低貢獻(xiàn)不大，導(dǎo)致樣品熱電性能提高不明顯。