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1、RFID(Radio Frequency Identification)技術(shù),是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù),它利用射頻信號(hào)的電感耦合或者電磁反向散射機(jī)制實(shí)現(xiàn)對(duì)物體的自動(dòng)識(shí)別并獲取其數(shù)據(jù)信息。本論文針對(duì)無源超高頻RFID標(biāo)簽芯片具體應(yīng)用需求,對(duì)其物理基礎(chǔ)、能量鏈路、系統(tǒng)架構(gòu)、性能指標(biāo)和電源產(chǎn)生電路進(jìn)行了詳細(xì)的研究。
無源超高頻RFID標(biāo)簽芯片電源產(chǎn)生電路主要包括以下幾個(gè)模塊:整流電路模塊、基準(zhǔn)電流源模塊、基準(zhǔn)電壓源模塊和穩(wěn)壓電路
2、模塊。本文整理了整流電路幾種電路結(jié)構(gòu),并針對(duì)Dickson電荷泵倍壓整流電路做了詳細(xì)的原理分析,給出了基于閾值電壓補(bǔ)償技術(shù)的電路設(shè)計(jì)方案。針對(duì)低功耗低成本的電路設(shè)計(jì)需求,采用亞閾值技術(shù)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)電流源和基準(zhǔn)電壓源的電路設(shè)計(jì)。穩(wěn)壓電路采用傳統(tǒng)的LDO結(jié)構(gòu),在滿足系統(tǒng)需求的前提下實(shí)現(xiàn)了低功耗設(shè)計(jì)要求。由于當(dāng)標(biāo)簽芯片工作在近距離時(shí),標(biāo)簽天線接收到的能量很大,給出了過壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案,避免了近距離工作時(shí)后級(jí)電路被擊穿。
本文基于UMC
3、0.18μm Embedded E2PROM1.8 V/5 V2P6M LLP工藝,完成了電源產(chǎn)生電路的設(shè)計(jì)。整流電路采用基于二極管連接的MOS管主從電荷泵結(jié)構(gòu)。在-5.2 dBm的輸入功率下,實(shí)現(xiàn)了22.69%的能量轉(zhuǎn)換效率?;鶞?zhǔn)電壓源電路采用全MOS管電路結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了640 mV的電壓輸出,溫度系數(shù)達(dá)到16.82 ppm/℃,當(dāng)輸入電壓VCC為1.8 V時(shí),功耗低至194 nA。基準(zhǔn)電流源采用亞閾值技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了99.7 nA
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