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1、功率放大器廣泛應(yīng)用于各種通信系統(tǒng)中,論文所研究的功率放大器主要是針對(duì)于隨鉆電磁波測(cè)井電路中的應(yīng)用。功率放大器是隨鉆電磁波測(cè)井設(shè)備中發(fā)射器的重要組成部分,研究和開(kāi)發(fā)適合井下復(fù)雜環(huán)境的高效率功率放大器無(wú)疑對(duì)提高隨鉆電磁波測(cè)井設(shè)備的性能有重要意義。傳統(tǒng)的功率放大器,如A類、B類、C類功率放大器,經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,各種技術(shù)已趨于成熟,但是由于這些功率放大器效率的提高是以減小功率晶體管導(dǎo)通角和加大激勵(lì)功率為代價(jià)的,從電路原理上就限制了其效率進(jìn)一步
2、的提高。
相對(duì)于傳統(tǒng)的線性功率放大器,D類、E類、DE類等開(kāi)關(guān)型功率放大器具有更高的效率。開(kāi)關(guān)型功率放大器克服了傳統(tǒng)線性功率放大器的缺點(diǎn),使功率晶體管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),在任意時(shí)刻,功率晶體管內(nèi)部的電壓與電流的乘積很小,甚至趨于零,以此原理來(lái)降低功率晶體管損耗,提高功率放大器效率。
論文的主要工作是進(jìn)行高效率DE類功率放大器的研究。DE類功率放大器綜合了D類和E類功率放大器的優(yōu)點(diǎn),繼承了開(kāi)關(guān)型功率放大器高效率的特
3、點(diǎn),又同時(shí)避免了D類和E類功率放大器的缺點(diǎn),不會(huì)在功率晶體管內(nèi)部同時(shí)出現(xiàn)電壓和電流,對(duì)功率晶體管的最大工作電流和耐壓性也無(wú)過(guò)高要求。
論文首先對(duì)功率放大器的功率器件、性能指標(biāo)、功率放大器常見(jiàn)類型作了介紹,然后詳細(xì)分析了DE類功率放大器的特點(diǎn)、電路性能、元件取值等問(wèn)題,并對(duì)非線性并聯(lián)電容對(duì)DE類功率放大器的影響作了分析,最后使用SPICE仿真程序?qū)E類功率放大器進(jìn)行了驗(yàn)證,仿真結(jié)果證實(shí)了分析的正確性。
論文對(duì)
4、DE類功率放大器的研究工作可以概括為以下幾點(diǎn):
(1)詳細(xì)分析了DE類功率放大器,給出了DE類功率放大器的基本電路圖,等效電路圖;從電路結(jié)構(gòu)入手,分析了DE類功率放大器的電路特性,得到了電路各點(diǎn)電流電壓的取值和波形圖,推導(dǎo)出了DE類功率放大器各元件的取值公式,為DE類功率放大器的設(shè)計(jì)提供了方便。
(2)針對(duì)非線性并聯(lián)電容對(duì)DE類功率放大器的影響做出了分析。首先說(shuō)明了分析MOSFET寄生電容的必要性,然后通過(guò)理
5、論分析,給出了DE類功率放大器在驅(qū)動(dòng)信號(hào)占空比D=0.25,在任意梯度系數(shù)m下,由外部線性電容和MOSFET寄生輸出電容共同構(gòu)成的并聯(lián)電容的分析表達(dá)式,分析得到了MOSFET寄生輸出電容的等效電容表達(dá)式,通過(guò)使用等效電容表達(dá)式,可以輕松獲得包含MOSFET寄生輸出電容的并聯(lián)電容的取值,提高了DE類功率放大器設(shè)計(jì)精度,保證了DE類功率放大器高效率的特點(diǎn)。
(3)使用SPICE仿真程序?qū)E類功率放大器進(jìn)行了仿真分析,并與D類
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