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文檔簡介
1、數(shù)字電子產(chǎn)品及信息通訊產(chǎn)品向小型化、多功能化、智能化方向的發(fā)展,普遍采用高頻化、數(shù)字化和集成化等關(guān)鍵技術(shù)。這些關(guān)鍵技術(shù)的采用與進(jìn)步,給人們的生活帶來了方便、快捷和高效,同時(shí)也帶來了日益劇烈的電磁干擾問題。扁平顆粒吸波材料是解決電子產(chǎn)品輻射干擾的重要手段之一。本文的研究目的是開發(fā)性能優(yōu)異的吸波材料及其制備工藝,探索扁平顆粒吸波材料電磁性能的影響規(guī)律,為開發(fā)實(shí)用化的吸波材料提供新的實(shí)驗(yàn)方法和理論依據(jù)。本文從實(shí)驗(yàn)方面重點(diǎn)研究了FeCrMo、F
2、eSiAl、FeNiMo和FeCuNbSiB四種扁平顆粒吸波材料的制備工藝及其吸波特性,并提出了扁平顆粒取向度與磁導(dǎo)率關(guān)系的唯象模型,具體內(nèi)容如下:
1、采用行星式球磨工藝研究了球磨時(shí)間、磨球材質(zhì)、預(yù)熱處理、分散劑對(duì)FeCrMo、FeSiAl、FeNiMo和FeCuNbSiB四種扁平顆粒吸波劑制備工藝的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,球磨時(shí)間對(duì)扁平顆??v橫比起決定性作用,扁平顆粒的片厚隨球磨時(shí)間的延長而減小,直徑先增后減;硬質(zhì)合金球顯
3、著提高了FeSiAl扁平顆粒的縱橫比,獲得片厚為0.9μm、縱橫比為89的扁平顆粒;經(jīng)過360℃預(yù)熱處理后,F(xiàn)eCuNbSiB的塑性適中,獲得片厚為1.0μm、縱橫比為75的扁平顆粒;云母分散劑對(duì)于FeNiMo具有極好的分散效果,獲得片厚為0.6μm、縱橫比為100的扁平顆粒。
2、提出并發(fā)明了旋轉(zhuǎn)模塑法制備片狀吸波材料的新工藝,使得吸波劑的取向度高于涂布層壓法。研究了壓延成型、涂布層壓法、旋轉(zhuǎn)模塑法的工藝特點(diǎn),結(jié)果表明,
4、壓延成型適合制備填充率低于40 vol.%、厚度大于0.2mm的片狀吸波材料,涂布層壓法適合制備填充率高達(dá)50 vol.%、厚度低至0.05 mm的片狀吸波材料,旋轉(zhuǎn)模塑法適合制備高取向度的片狀吸波材料。
3、分析了熱處理溫度對(duì)扁平顆粒微結(jié)構(gòu)、磁性能的影響規(guī)律。結(jié)果表明,F(xiàn)eCrMo的最佳熱處理溫度為390℃,μ"max達(dá)到5.0;FeCuNbSiB最佳熱處理溫度為550℃,μ"max達(dá)到9.2。研究了不同縱橫比的FeSi
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