一維納米TiO2的制備及物性研究.pdf

1、TiO2是當前最有前景的光催化功能材料之一,近年來,TiO2納米材料的制備與應用得到了快速的發(fā)展。作為一種功能材料,其光催化性能很大程度上取決于它的微觀結構,因此,如何控制TiO2材料到納米級以及定向納米結構,是影響其光催化性能的關鍵因素。一維TiO2納米管陣列具有結構整齊、高深寬比、表面能大和吸附性強等特性,在眾多TiO2納米結構材料中脫穎而出,成為最受青睞的研究方向。為了獲得最佳性能的TiO2納米管陣列,一方面需要有效的控制TiO2

2、納米管陣列的形貌尺寸；另一方面需要通過對TiO2納米管陣列進行摻雜改性以增大其光響應范圍。
　　 本文采用陽極氧化法,在含0.4 mol／L HF的乙二醇溶液的電解液體系中成功制備出TiO2納米管陣列。并對TiO2納米管陣列采取不同的晶化處理方式,以期獲得整齊穩(wěn)定的晶態(tài)TiO2納米管陣列,另對TiO2納米管陣列進行非金屬元素N的摻雜,分析改性后的TiO2納米管陣列的光響應范圍及其電化學性能,采用X射線衍射(XRD)、透射電子顯微

3、鏡(TEM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、紫外.可見光(UV)吸收光譜、X射線光電子能譜(XPS)和電化學線性伏安曲線(LSV)分析手段對所得樣品進行了表征。實驗結果表明:
　　 1.采用陽極氧化法在有機溶解液中成功制備出TiO2納米管陣列,其管徑約為120-140nm,壁厚約為15-25nm,管長可達50-80μ m。通過調節(jié)電壓和溫度對TiO2納米管陣列的形貌尺寸進行控制。
　　 2.比較了退火熱處理與水熱處理兩種晶化

4、處理方式對TiO2納米陣列的穩(wěn)定性及電化學性能影響,實驗表明,在100℃以上溫度水熱處理8h,得到的TiO2納米管陣列受到一定程度的破壞,破壞程度隨溫度升高而嚴重,其晶粒尺寸較小,金屬-半導體邊界上的肖特基勢壘較大。500℃退火2h陣列結構破壞嚴重,晶?？焖匍L大,其肖特基勢壘較小,而在該溫度下退火1h后其陣列結構保存得比較完整,晶粒尺寸與水熱處理相當。研究表明,晶化處理過程,TiO2納米陣列結構特性主要受溫度和時間因素影響。
　　

5、 3.以尿素為氮源,在500℃的溫度下退火1h成功獲得了銳鈦礦N摻雜的TiO2納米管陣列。研究表明,該條件下,制備出的TiO2納米管陣列結構得以完整保存,平均晶粒尺寸約為30nm,N元素以填隙摻雜為主,N原子進入TiO2納米管晶格間,形成雜質能級,有效地窄化了TiO2的禁帶寬度,獲得了具有可見光響應的TiO2納米管陣列。光吸收譜顯示,N摻雜的TiO2納米管陣列的吸收邊發(fā)生紅移。線性伏安曲線表明,其金屬-半導體邊界上的肖特基勢壘所產(chǎn)生的