半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)帶隙的應(yīng)變調(diào)制.pdf

1、分類號學(xué)校代碼10542密級學(xué)號半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)帶隙的應(yīng)變調(diào)制Bandgapmodulatedbystraininsemiconductornanostructures指導(dǎo)教師姓名、職稱學(xué)科專業(yè)研究方向湖南師范大學(xué)學(xué)位評定委員會辦公室二零一二年四月半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)帶隙的應(yīng)變調(diào)制摘要fIIIIIIIIIIIIIIIIIIII』Y2147616納米材料和納米結(jié)構(gòu)的“應(yīng)變工程”能有效調(diào)制體系的力、熱、光、電等物理和化學(xué)性質(zhì)，近年來成為凝聚態(tài)物理學(xué)

2、和材料科學(xué)研究領(lǐng)域內(nèi)的焦點(diǎn)問題之一。由于納米材料體系高的比表面和表面原子具有的配位缺陷特征，體系一般處于自平衡態(tài)，具有的自平衡應(yīng)變能極大地影響著體系的性能。除此之外，外場如溫度和應(yīng)力的作用也能對體系的性能進(jìn)行有效調(diào)制。基于最近發(fā)展的鍵長一鍵能機(jī)理，以半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)如納米晶、納米線等為研究對象，研究了自平衡應(yīng)變和外場作用下的體系應(yīng)變對體系帶隙漂移的影響，提出了形變勢關(guān)系。取得的主要進(jìn)展概述如下：1研究了尺度依賴的SnO：納米晶和納米線帶隙