置氫TC4鈦合金與GH3128高溫合金擴散連接工藝及機理研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩67頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、置氫鈦合金在熱加工,變質加工領域應用越來越廣泛,國內外學者在這些方面進行了大量的研究。近年來有學者發(fā)現(xiàn)置氫鈦合金在連接領域有著獨特的優(yōu)勢,但目前該方向的研究較少。本文針對置氫鈦合金連接領域的研究需要,對置氫鈦合金與高溫合金擴散連接工藝及機理進行了研究。本文采用直接擴散連接和添加Ni箔、Nb箔和Ni+Nb箔間接擴散連接,實現(xiàn)了置氫TC4鈦合金與GH3128鎳基高溫合金的連接,研究了擴散連接工藝參數(shù)和置氫量對接頭界面組織的影響規(guī)律;分析了擴

2、散連接工藝參數(shù)對接頭力學性能影響,確定了接頭的斷裂方式。并對氫促元素擴散的機理進行了探討。
  采用直接擴散連接時,接頭的典型界面結構為:置氫TC4鈦合金/α+β相/Ti2Ni/TiNi/Ni(s,s)+TiNi/Ni(s,s)/GH3128鎳基高溫合金。置氫量對接頭界面組織沒有影響,但對擴散反應層厚度有明顯影響,隨著氫含量的升高,反應層厚度增加。接頭的抗剪強度隨著工藝參數(shù)的提高均先增大后穩(wěn)定,在 T=900℃/t=10min/P

3、=5MPa時,達到最大值55MPa。接頭斷裂發(fā)生在Ti2Ni擴散反應層。
  采用純Ni箔連接時,接頭抗剪強度提高到91.5MPa,但Ti2Ni層依然是接頭的薄弱區(qū)域。采用Nb箔時改善了鈦合金側的脆性,接頭的典型界面結構為:置氫TC4鈦合金/(Ti,Nb)/Nb/(Nb,Ni)/Ni3Nb/Ni(s,s)/GH3128鎳基高溫合金。隨著連接規(guī)范提高,接頭中擴散反應層厚度逐漸增加,柯肯達爾孔洞減少,在保溫時間較長時生成了Ni6Nb7

4、相。當T=860℃/t=100min/P=10MPa時,接頭的抗剪強度最高,達到245MPa。接頭主要斷裂于固溶體層。采用Ni+Nb復合中間層時消除了接頭兩側的薄弱區(qū)域,接頭中只有一層金屬間化合物層。隨著連接規(guī)范的提高,反應層厚度逐漸增加。當T=860℃/t=80min/P=10MPa時,接頭的抗剪強度最高,達到271MPa。
  采用熱分析及透射電鏡研究了置氫TC4鈦合金的等溫放氫特性和放氫后組織,當設定加熱速度為25℃/min

5、時,置氫 TC4鈦合金中的氫化物分解發(fā)生在加熱后25min~35min之間,在750℃時脫氫速率達到最大值。等溫放氫后,置氫TC4的基體組織不存在氫化物。
  氫促進元素擴散原因是Ni和Nb的擴散系數(shù)和激活能與空位形成能和空位遷移能有關;低溫時當氫在鈦合金中以間隙固溶體存在時,引起弱鍵效應,使溶質原子擴散的空位形成能降低,擴散系數(shù)提高;在較高溫度時當氫以原子形式向鈦合金外擴散時,引起了點陣畸變,使溶質原子擴散的空位遷移能下降,導致

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論