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1、低維半導(dǎo)體材料(量子阱和量子點(diǎn))的制備和性質(zhì)研究,是當(dāng)前國(guó)際上最前沿的研究課題之一。目前,量子阱材料的制備和器件應(yīng)用已經(jīng)趨于成熟;而量子點(diǎn)材料由于其對(duì)電子的三維限制,導(dǎo)致了電子態(tài)密度呈δ函數(shù)分布,有可能實(shí)現(xiàn)性能更加優(yōu)異的光電器件。 作為激光器的有源區(qū),不論量子阱材料還是量子點(diǎn)材料,人們都希望其發(fā)光效率具有較高的溫度穩(wěn)定性,從而實(shí)現(xiàn)常溫下高效的激光器件。因此,關(guān)于量子阱和量子點(diǎn)材料的光致發(fā)光光譜的溫度依賴(lài)性研究,在理論上和實(shí)驗(yàn)上都
2、引起了人們的廣泛關(guān)注。 本論文分別模擬了量子阱和量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中載流子的動(dòng)力學(xué)過(guò)程,獲得了其光致發(fā)光光譜的溫度依賴(lài)性曲線,并對(duì)模擬結(jié)果作了進(jìn)一步的詳細(xì)分析。 1.運(yùn)用耦合多量子阱模型,分別模擬了單量子阱和非對(duì)稱(chēng)雙量子阱的光致發(fā)光光譜的溫度依賴(lài)性。結(jié)果表明:隨著溫度的升高,載流子在不同量子阱之間發(fā)生轉(zhuǎn)移。此外,進(jìn)一步研究了非對(duì)稱(chēng)雙量子阱結(jié)構(gòu)中兩阱的光致發(fā)光強(qiáng)度比的溫度依賴(lài)性,研究發(fā)現(xiàn):雙量子阱中兩阱的光致發(fā)光強(qiáng)度比的峰值溫度主
3、要由深量子阱(激活能較大)的激活能決定,而且隨著深量子阱激活能的增大而升高;兩阱的光致發(fā)光強(qiáng)度比的峰值大小,主要取決于兩阱激活能的相對(duì)值,而且與之成指數(shù)關(guān)系。 2.運(yùn)用穩(wěn)態(tài)速率方程模型,模擬了單模自組織量子點(diǎn)的光致發(fā)光光譜的溫度依賴(lài)性。結(jié)果表明:1)當(dāng)溫度達(dá)到一定的值時(shí),光致發(fā)光光譜的積分強(qiáng)度發(fā)生熱淬滅;2)光致發(fā)光光譜的峰值能量位置的溫度特性曲線呈“Z”字形;3)當(dāng)溫度低于一定值(<100K)時(shí),光致發(fā)光光譜的半高寬隨溫度的升
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