長(zhǎng)余輝材料陷阱分布及其對(duì)余輝的影響.pdf

1、在新型的無(wú)輻射、無(wú)污染長(zhǎng)余輝材料日漸成熟的同時(shí),人們也在不斷地探索其發(fā)光的機(jī)理和發(fā)光的具體過(guò)程.材料在受到光的輻照后能儲(chǔ)存能量并較長(zhǎng)時(shí)間地處于一種非平衡狀態(tài).對(duì)于這一特性的研究在能量的儲(chǔ)存和應(yīng)用、光電轉(zhuǎn)換等方面有很大的潛力.材料能長(zhǎng)時(shí)間地處于一種激發(fā)狀態(tài),這被普遍認(rèn)為是由于材料禁帶中產(chǎn)生的雜質(zhì)能級(jí)引起的.用于探測(cè)材料中雜質(zhì)能級(jí)常用的實(shí)驗(yàn)方法主要有順磁共振、熱釋光和吸收光譜等.該工作主要以熱釋光的方法來(lái)研究材料中雜質(zhì)能級(jí)的分布及其對(duì)材料余

2、輝的影響.在不同的條件下用高溫固相反應(yīng)法制備了長(zhǎng)余輝材料SrAl<,2>O<,4>:Eu<'2+>,Dy<'3+>、CaAl<,2>O<,4>:Eu<'2+>,Nd<'3+>,La<'3+>和CaTiO<,3>:Pr<'3+>,并以它們?yōu)槔唧w研究了鋁酸鹽體系和鈦酸鹽體系長(zhǎng)余輝材料的陷阱分布及其對(duì)材料余輝性能的影響.激發(fā)源、激發(fā)劑量和灼燒溫度;材料基質(zhì)的配比,稀土離子的摻雜量以及助熔劑等決定了材料熱釋峰的分布,由此也決定了與熱釋峰相對(duì)應(yīng)